[发明专利]MEMS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410097373.5 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103832968A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张振兴;奚裴;熊磊;王健鹏;时廷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 器件 制造 方法 | ||
1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成氮化钽层；
在所述氮化钽层上形成介质抗反射层；
在所述介质抗反射层上涂布光刻胶并进行光刻；
对所述介质抗反射层和氮化钽层进行刻蚀，形成沟槽；
对形成有所述沟槽的MEMS器件执行加强的灰化和湿法清洗工艺。
2.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述介质抗反射层是DARC，所述介质抗反射层采用的材料为SiON。
3.如权利要求2所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述介质抗反射层是通过化学气相沉积工艺形成的。
4.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，还包括：在形成氮化钽层之前，在所述衬底上形成镍铁层。
5.如权利要求4所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述镍铁层和氮化钽层是通过物理气相沉积工艺形成的。
6.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成氮化钽层；
在所述氮化钽层上形成介质抗反射层；
在所述介质抗反射层上涂布底部抗反射涂层；
在所述底部抗反射涂层上涂布光刻胶并进行光刻；
对所述介质抗反射层和氮化钽层进行刻蚀，形成沟槽；
对形成有所述沟槽的MEMS器件执行加强的灰化和湿法清洗工艺。
7.如权利要求6所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述介质抗反射层是DARC，所述介质抗反射层采用的材料为SiON。
8.如权利要求7所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述介质抗反射层是通过化学气相沉积工艺形成的。
9.如权利要求6所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，还包括：在形成氮化钽层之前，在所述衬底上形成镍铁层。
10.如权利要求9所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述镍铁层和氮化钽层是通过物理气相沉积工艺形成的。
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