[发明专利]一种用于加工载体的方法

权利要求书

1.一种用于加工载体的方法，该方法包括：

在载体上方和在载体中的至少一个中形成多个结构元件，其中所述多个结构元件中的至少两个邻近结构元件具有彼此之间的第一距离；

在所述多个结构元件上方沉积第一层，该第一层具有等于所述至少两个邻近结构元件之间的第一距离的厚度；

在第一层上方形成至少一个附加层，其中所述至少一个附加层覆盖第一层的暴露表面；

移除所述至少一个附加层的部分以便部分地暴露第一层；

部分地移除第一层，其中部分地暴露所述至少两个邻近结构元件的至少一个侧壁，其中

所述多个结构元件中的至少两个邻近结构元件具有比第一距离的二倍更大的彼此之间的距离。

2.权利要求1的方法，

所述多个结构元件在所述多个结构元件中的至少一个结构元件的表面处包括至少一个电绝缘层。

3.权利要求2的方法，其中

所述至少一个电绝缘层包括氧化物层。

4.权利要求1的方法，其中

所述多个结构元件中的至少一个结构元件具有鳍状物的形状。

5.权利要求1的方法，其中

所述多个结构元件中的至少一个结构元件为FinFET的部分。

6.权利要求1的方法，其中在所述多个结构元件上方沉积第一层包括在所述多个结构元件上方共形地沉积第一层。

7.权利要求1的方法，其中

第一层包括导电材料。

8.权利要求1的方法，其中

第一层包括导电多晶体硅。

9.权利要求1的方法，其中

形成所述至少一个附加层包括使用共形沉积工艺沉积至少一层。

10.权利要求1的方法，其中

形成所述至少一个附加层包括使用高温氧化生长至少一层。

11.权利要求1的方法，其中

所述至少一个附加层包括与第一层的材料不同的材料。

12.权利要求1的方法，其中

形成所述至少一个附加层包括：

在第一层上方形成至少第二层，

其中第二层填充所述多个结构元件中的邻近结构元件之间的剩余空间。

13.一种用于加工载体的方法，该方法包括：

在载体上方和在载体中的至少一个中形成多个结构元件，其中所述多个结构元件中的至少两个邻近结构元件具有彼此之间的第一距离；

在所述多个结构元件上方沉积第一层，该第一层具有小于所述至少两个邻近结构元件之间的第一距离的一半的厚度；

在第一层上方形成至少一个附加层，其中所述至少一个附加层覆盖第一层的暴露表面；

移除所述至少一个附加层的部分以便部分地暴露第一层；

部分地移除第一层，其中部分地暴露所述至少两个邻近结构元件的至少一个侧壁，其中

所述多个结构元件中的至少两个邻近结构元件具有比第一距离更大的彼此之间的距离。

14.权利要求13的方法，

所述多个结构元件在所述多个结构元件中的至少一个结构元件的表面处包括至少一个电绝缘层。

15.权利要求14的方法，其中

所述至少一个电绝缘层包括氧化物层。

16.权利要求13的方法，其中

所述多个结构元件中的至少一个结构元件具有鳍状物的形状。

17.权利要求13的方法，其中

所述多个结构元件中的至少一个结构元件为FinFET的部分。

18.权利要求13的方法，其中

在所述多个结构元件上方沉积第一层包括在所述多个结构元件上方共形地沉积第一层。

19.权利要求13的方法，其中

第一层包括导电材料。

20.权利要求13的方法，其中

形成所述至少一个附加层包括使用共形沉积工艺沉积至少一层。

21.权利要求13的方法，其中

形成所述至少一个附加层包括使用高温氧化生长至少一层。