[发明专利]一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法有效
| 申请号: | 201410095989.9 | 申请日: | 2014-03-14 |
| 公开(公告)号: | CN103922748A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
| 发明(设计)人: | 应国兵;王鹏举;田宝娜;王乘;吴玉萍;李嘉;赵海伟 | 申请(专利权)人: | 河海大学 |
| 主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/622;C04B38/08 |
| 代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 沈振涛 |
| 地址: | 210000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 多孔 氮化 陶瓷 制备 方法 | ||
1.一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)凝胶的制备:将增塑剂、单体、交联剂和去离子水混合,得预混液;在预混液中加入分散剂、氮化硅粉体和烧结助剂,调pH为8-12,球磨4-15h,得凝胶;
(2)添加造孔剂:将凝胶与造孔剂混匀;
(3)坯体的成型:将步骤(2)添加造孔剂的凝胶经真空除气后,加入引发剂和催化剂混匀,真空除气后注模成型,室温反应20-50min使凝胶交联固化脱模,得胚体;
(4)坯体的干燥:坯体自然干燥10-15天至恒重;
(5)坯体的排胶:步骤(4)干燥的胚体在箱式电阻炉中排胶;排胶条件为:室温以升温速率为0.5-1℃/min升温至150℃,再从150℃以升温速率为0.2-0.5℃/min升温至600℃,并分别在100℃、200℃、300℃、400℃、500℃、600℃时保温1-2h;冷却;
(6)坯体的烧结:经步骤(5)排胶后的坯体在氮气气氛中烧结,烧结条件为:室温以5-15℃/min的速率升温至1700-1800℃,保温1-3h,随炉冷却,即得。
2.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:所述增塑剂、单体、交联剂、去离子水、分散剂、氮化硅粉体、烧结助剂、造孔剂、引发剂、催化剂的重量比为(1-3):(10-20):(2-3):100:(0.4-0.6):(90-100):(4-6):(0.1-30):(0.08-0.10):(0.4-0.6)。
3.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:所述增塑剂为聚丙烯酰胺,优选平均分子量在3000000以上的聚丙烯酰胺。
4.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:所述单体为丙烯酰胺,所述交联剂为N,N’-亚甲基双丙烯酰胺。
5.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:所述分散剂为聚丙烯酸铵,优选平均分子量为3000-5000的聚丙烯酸铵。
6.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:所述的烧结助剂为质量比为(4-6):2的氧化钇和氧化铝的混合物。
7.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:所述造孔剂为氧化铝空心球,优选平均粒径为50-100μm的氧化铝空心球。
8.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:所述引发剂为过硫酸铵,催化剂为N,N,N,N-四甲基乙二胺。
9.根据权利要求1所述的一种多孔氮化硅陶瓷的制备方法,其特征在于:所述多孔氮化硅陶瓷孔隙率为44.98-61.19%,弯曲强度为78.93-125.07MPa,断裂韧性为1.40-2.38MPa.m1/2。
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