[发明专利]底屏蔽稳定的磁晶种层在审

专利信息
申请号: 201410095508.4 申请日: 2014-03-14
公开(公告)号: CN104050978A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: E·W·辛格尔顿;谭利文;李宰荣 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: G11B5/31 分类号: G11B5/31
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 何焜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 屏蔽 稳定 磁晶种层
【权利要求书】:

1.一种装置,包括:

磁性叠层,在磁晶种层上具有自由和固定的磁化结构,以及

底屏蔽,可置于接触地邻近相对于顶屏蔽的磁性叠层,底屏蔽具有设置为预定磁取向的固定钉扎磁性。

2.如权利要求1所述的装置,其中,所述磁性叠层的固定磁化结构包括合成反铁磁(SAF)。

3.如权利要求2所述的装置,其中,反铁磁(AFM)置于所述磁晶种和所述磁性叠层的固定磁化结构之间。

4.如权利要求1所述的装置,其中,所述固定钉扎磁化由底屏蔽中的合成反铁磁(SAF)设置。

5.如权利要求4所述的装置,其中,反铁磁(AFM)置于所述SAF和底屏蔽中的屏蔽晶种层之间。

6.如权利要求5所述的装置,其中,所述屏蔽种子层具有对应于预定磁取向的预定纹理。

7.如权利要求1所述的装置,其中,所述底屏蔽在空气轴承表面(ABS)具有大于所述磁性叠层的平均宽度的较宽宽度。

8.如权利要求1所述的装置,其中,所述预定磁取向平行于空气轴承表面(ABS)。

9.如权利要求1所述的装置,其中,所述磁性叠层置于侧屏蔽之间。

10.如权利要求9所述的装置,其中,每个侧屏蔽由绝缘层从所述磁性叠层堆隔开。

11.如权利要求10所述的装置,其中,每个绝缘层连续延伸以分隔所述侧屏蔽与所述底屏蔽。

12.如权利要求9所述的装置,其中,每个侧屏蔽从所述磁性叠层的自由磁化结构连续延伸到顶屏蔽。

13.一种数据读取器,包括:

磁性叠层,在磁晶种层上具有自由和固定的磁化结构,以及

底屏蔽,可置于接触地邻近和耦合相对于顶屏蔽的磁性叠层,底屏蔽具有设置为预定磁取向的固定钉扎磁性。

14.如权利要求13所述的数据读取器,其中,所述底屏蔽被耦合到磁性叠层的磁晶种层。

15.如权利要求13所述的数据读取器,其中,所述预定磁取向匹配磁性叠层的固定磁化结构的固定磁化取向。

16.如权利要求13所述的数据读取器,其中,所述磁性叠层的磁晶种接触底层的第一铁磁层,所述第一铁磁层由非磁性隔离层与第二铁磁层隔开,作为合成反铁磁(SAF)的一部分。

17.一种方法,包括:

形成磁性叠层,所述磁性叠层在磁晶种层上具有自由和固定的磁化结构,以及

接触磁性叠层和相对于顶屏蔽的底屏蔽,所述底屏蔽具有设置为预定磁取向的固定钉扎磁性。

18.如权利要求18所述的方法,其中,所述磁性叠层只经历第一退火操作。

19.如权利要求18所述的方法,其中,所述预定磁取向通过所述第一退火操作之后对所述底屏蔽和磁性叠层进行的第二退火操作提供。

20.如权利要求19所述的方法,其中,所述第一和第二退火操作配置固定钉扎磁化为不同的正交取向。

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