[发明专利]功率覆盖结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置封装，包括：

介电层；

介电层上的粘合层；

半导体装置，其具有通过所述粘合层联接到所述介电层上的第一表面；

传导垫片，其具有通过所述粘合层联接到所述介电层的第一表面；

导电散热器，其具有第一表面，所述第一表面联接到所述半导体装置的第二表面和所述传导垫片的第二表面；以及

金属化层，其联接到所述半导体装置的第一表面和所述传导垫片的第一表面，所述金属化层延伸穿过所述介电层并且通过所述传导垫片和所述散热器电连接到所述半导体装置的第二表面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其特征在于，所述半导体装置包括功率装置。

3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其特征在于，所述半导体装置的第二表面和所述传导垫片的第二表面大致共面。

4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其特征在于，还包括：热界面层，其涂布所述散热器的第二表面，所述热界面层包括电绝缘并且导热的材料。

5.根据权利要求4所述的半导体装置封装，其特征在于，所述热界面层包括有机材料和悬浮于树脂中的多个导电粒子中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的半导体装置封装，其特征在于，还包括散热件，其联接到所述热界面层。

7.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其特征在于，还包括传导接触层，其将所述半导体装置和所述传导垫片联接到所述散热器。

8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其特征在于，所述散热器的第二表面向周围空气暴露用于对流传热。

9.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其特征在于，还包括包封件，其包围所述半导体装置和所述传导垫片。

10.一种形成半导体装置封装的方法，包括：

提供介电层；

施加粘合层至所述介电层的表面；

将半导体装置的第一表面通过所述粘合层附连到介电层；

将传导垫片的第一表面通过所述粘合层附连到所述介电层；

将散热器安置到所述半导体装置的第二表面和所述传导垫片的第二表面上，所述散热器将所述半导体装置电联接到所述传导垫片；以及

在所述介电层的第二表面上形成金属互连结构，所述金属互连结构延伸穿过在所述介电层中形成的通孔，以接触所述半导体装置的第一表面和所述传导垫片的第一表面。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：利用聚合物材料来包封所述半导体装置、所述传导垫片和所述散热器的至少一部分。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：在所述散热器的顶表面上形成热界面层。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：将散热件联接到所述热界面层。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括：利用介电材料底部填充在所述介电层与所述热界面层之间的空间。

15.一种功率覆盖(POL)结构，包括：

绝缘基底；

功率装置，其经由粘合层附接到所述绝缘基底上；

导电垫片，其经由所述粘合层附接到所述绝缘基底上；

导电和导热板条，其联接到所述功率装置的顶表面和所述导电垫片的顶表面；以及

金属化层，其延伸穿过所述绝缘基底，所述金属化层电联接到所述功率装置的第一表面和第二表面上的接触位置。

16.根据权利要求15所述的功率覆盖(POL)结构，其特征在于，所述功率装置和所述导电垫片的顶表面共面。