[发明专利]用于发射成像设备的网格模具、检测器和发射成像设备

说明书

技术领域

本发明涉及发射成像系统，具体地，涉及一种用于发射成像设备的检测器的网格模具、具有该网格模具的检测器以及具有该检测器的发射成像设备。

背景技术

包括正电子发射成像设备的发射成像设备已经被用于医疗诊断。以正电子发射成像设备为例，其利用正电子同位素衰变产生出的正电子与人体内负电子发生泯灭效应的现象，通向人体内注射带有正电子同位素标记的化合物，采用复合探测的方法，利用检测器探测泯灭效应所产生的_γ光子，得到人体内同位素的分布信息，由计算机进行重建组合运算，从而得到人体内标记化合物分布的三维断层图像。

发射成像设备通常包括支撑框架和安装在支撑框架上的多个检测器。以正电子发射成像设备为例，检测器主要包括三部分，如图1所示，即最下层的由离散闪烁晶体组成的晶体矩阵110、玻璃光导层120和光电倍增管（PMT）矩阵130。玻璃光导层120内刻有不同深度的切槽121，切槽121把玻璃光导层120的下表面分割成的矩阵，且该矩阵和离散晶体组成的晶体矩阵110一一对应。切槽121内填入反光材料。

正电子湮灭产生的511电子伏特的高能光子（γ光子），在晶体矩阵110中的某一晶体条内部发生反应，被转换为可见光子群。由于闪烁晶体除顶面外的五面都被反光片覆盖，可见光子群只能从闪烁晶体的顶面射出，并进入玻璃光导层120。可见光子群从玻璃光导层120出来后，进入PMT矩阵130。通过PMT矩阵130中，各PMT单元采集到的可见光信号的大小，用重心算法（Anger Logic），可以计算出高能光子在晶体矩阵110中的哪一个闪烁晶体内部发生的反应。这一过程称为晶体解码。

传统正电子发射成像设备的检测器设计中，最关键的一环是玻璃光导层120中切槽121的深度设置。不合理的切槽121深度设置，会导致较大的晶体解码误差甚至错误。反之，合理的切槽121深度设置，能够极大的减少晶体解码误差。因此检测器的加工尤其重要。但是，传统正电子发射成像设备中的检测器需要对玻璃光导层120刻入不同深度的切槽121。切槽121的宽度一般要求和晶体矩阵110中单个离散的闪烁晶体之间的空隙一致。另一方面，为了提高检测器对511电子伏特的高能光子的灵敏度，离散的闪烁晶体之间越小越好。因此，切槽的宽度一般在100微米左右。在这么狭窄的切槽内填入反光材料，工艺要求较高。而对于切槽121的深度，如前所述，为了取得最佳的晶体解码效果，对切槽121深度设置有一定的精度要求（例如200微米精度），传统的切割工艺比较难达到这一要求。

因此，有必要提出一种用于发射成像设备的检测器的网格模具、具有该网格模具的检测器以及具有该检测器的发射成像设备，以解决现有技术中存在的问题。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种用于发射成像设备的检测器的网格模具，包括：壳体；多个横向壁，其位于所述壳体内且相互平行地沿着所述壳体的横向延伸；以及多个纵向壁，其位于所述壳体内且相互平行地沿着所述壳体的纵向延伸，其中所述多个横向壁和所述多个纵向壁将所述壳体内的下部空间分隔成以矩阵方式排列的多个网格槽，且所述多个横向壁和所述多个纵向壁沿着从所述壳体的外周到所述壳体的中心具有逐渐减小的高度。

优选地，所述多个横向壁分别由多个横向薄片形成，且所述多个纵向壁分别由多个纵向薄片形成，其中所述多个横向薄片和所述多个纵向薄片上分别设置有能够使它们相互插接的切槽，所述多个横向薄片和所述多个纵向薄片在所述切槽处插接以形成所述多个网格槽。

优选地，所述壳体的底壁和侧壁的面向所述壳体内部的表面、以及所述多个横向壁和所述多个纵向壁的侧面设置有光反射层。

优选地，所述网格模具的壳体的顶部为开放式的，且在所述顶部处设置有连接部，所述连接部用于与所述检测器的光传感器层连接。

优选地，所述网格模具的所述壳体是密封的，所述壳体的顶壁由可见光子可穿透的材料制成。

优选地，所述壳体内的空间填充有光导液体。

优选地，所述网格模具的所述壳体上设置有设置在所述壳体的侧壁上的灌注装置和/或排气装置。

优选地，所述网格模具还包括排气装置，所述排气装置包括一个或多个伞状的导向板，在每个所述导向板的顶部中心处形成有排气孔。