[发明专利]半导体晶片的杂质热扩散处理工艺

权利要求书

1.半导体晶片的杂质热扩散处理工艺，其特征在于，它是在半导体晶片的表面至10μm深度的表层进行杂质的热扩散的工艺，

半导体晶片使用p型时，在表面涂布含磷5价元素的化合物，硅晶片使用n型时，在表面涂布含硼3价元素的化合物，

在半导体晶片的与使杂质扩散剂扩散的表面相反侧的表面上以非真空工艺的涂布方式通过旋涂法或丝网印刷法涂布硅溶胶，抑制杂质向所述表层以外热扩散，

所述硅溶胶中的二氧化硅固体成分的含量为5～50质量％，所述硅溶胶所含的胶体二氧化硅的平均粒径为3～1000nm。

2.如权利要求1所述的半导体晶片的杂质热扩散处理工艺，其特征在于，所述硅溶胶含有粘合剂成分。

3.如权利要求2所述的半导体晶片的杂质热扩散处理工艺，其特征在于，所述粘合剂成分的含量相对于硅溶胶中的二氧化硅固体成分，为1～50质量％。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体晶片的杂质热扩散处理工艺，其特征在于，上述硅溶胶含有作为分散介质的水或有机溶剂。

5.如权利要求2所述的半导体晶片的杂质热扩散处理工艺，其特征在于，上述粘合剂成分为选自丙烯酸树脂、聚酯树脂、聚氨酯树脂、聚醚树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚氯乙烯树脂、聚烯烃树脂、环氧树脂、聚乙烯基酯树脂、酚醛树脂、醇酸树脂及硅醇盐水解物的至少1种。

6.如权利要求1所述的半导体晶片的杂质热扩散处理工艺，其特征在于，将所涂布的硅溶胶在20～300℃加热干燥，除去硅溶胶中的分散介质，使二氧化硅微粒层积在半导体晶片的表面。

7.如权利要求1所述的半导体晶片的杂质热扩散处理工艺，其特征在于，再利用400～1300℃的高温加热，进行杂质的热扩散。

8.如权利要求7所述的半导体晶片的杂质热扩散处理工艺，其特征在于，具有通过氢氟酸的浸渍除去在所述高温加热时所形成的层积于半导体晶片的表面的二氧化硅微粒层的工序。

9.如权利要求1所述的半导体晶片的杂质热扩散处理工艺，其特征在于，所述硅溶胶所含的胶体二氧化硅的粒子形状是细长形状、串珠状、扁平状、板状。

10.半导体晶片，其特征在于，由权利要求1～9中任一项所述的半导体晶片的杂质热扩散处理工艺获得。

11.光电转换装置，其特征在于，具备权利要求10所述的半导体晶片。