[发明专利]存储器控制器和包括存储器控制器的存储器系统有效
| 申请号: | 201410083667.2 | 申请日: | 2014-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN104036825B | 公开(公告)日: | 2019-09-10 |
| 发明(设计)人: | 金武星;郑多芸 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/06 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储器 控制器 包括 系统 | ||
1.一种控制非易失性存储器的存储器设备的操作方法,该操作方法包括:
响应于外部写入请求,管理指示出所述非易失性存储器的多条字线中的每一条的高端页编程状态的编程深度位图;以及
响应于外部读取请求,基于所述编程深度位图的与要访问的字线相对应的信息来向所述非易失性存储器输出多个不同的读取命令之一。
2.如权利要求1所述的操作方法,其中,所述多个不同的读取命令包括指引对只具有低端页编程状态的字线的读取操作的第一读取命令和指引对具有高端页编程状态的字线的读取操作的第二读取命令。
3.如权利要求2所述的操作方法,其中,与根据所述第一读取命令执行的所述非易失性存储器的低端页读取操作相对应的读取时间跟与根据所述第二读取命令执行的所述非易失性存储器的低端页读取操作相对应的读取时间相同。
4.如权利要求3所述的操作方法,其中,根据所述第一读取命令和第二读取命令中的每一个执行的所述非易失性存储器的读取操作不包括判定要访问的字线的高端页编程状态的操作。
5.如权利要求3所述的操作方法,其中,在每条字线的存储单元处存储了至少2页数据。
6.一种存储器系统,包括:
至少一个非易失性存储器;以及
存储器控制器,被配置为控制所述至少一个非易失性存储器,
其中,所述存储器控制器响应于外部读取请求而基于编程深度位图的信息的与要访问的字线相对应的位信息来向所述至少一个非易失性存储器提供多个不同的读取命令之一,其中,所述编程深度位图指示出关于所述至少一个非易失性存储器的多条字线中的每一条的高端页编程状态。
7.如权利要求6所述的存储器系统,其中,所述存储器控制器响应于外部写入请求而依据外部写入请求来管理所述编程深度位图。
8.如权利要求7所述的存储器系统,其中,多个读取命令包括指引对只具有低端页编程状态的字线的读取操作的第一读取命令和指引对具有高端页编程状态的字线的读取操作的第二读取命令。
9.如权利要求8所述的存储器系统,其中,当接收到所述第一读取命令时,所述至少一个非易失性存储器对要访问的字线的低端页数据执行读取操作。
10.如权利要求9所述的存储器系统,其中,当接收到所述第二读取命令时,所述至少一个非易失性存储器基于与所述第二读取命令一起输入的页地址对要访问的字线的低端页数据和高端页数据之一执行读取操作。
11.如权利要求10所述的存储器系统,其中,与根据所述第一读取命令执行的所述非易失性存储器的低端页数据相对应的读取时间跟与根据所述第二读取命令执行的所述非易失性存储器的低端页数据相对应的读取时间相同。
12.如权利要求6所述的存储器系统,其中,所述至少一个非易失性存储器不包括用于存储字线的编程状态的标志单元。
13.如权利要求6所述的存储器系统,其中,所述至少一个非易失性存储器包括用于存储字线的编程状态的标志单元,并且,其中,所述标志单元被访问以在所述至少一个非易失性存储器被提供以所述多个不同的读取命令之一之前形成所述编程深度位图。
14.如权利要求6所述的存储器系统,其中,所述至少一个非易失性存储器包括存储单元,每个存储单元存储低端页数据和高端页数据。
15.如权利要求8所述的存储器系统,其中,根据所述第一读取命令和第二读取命令中的每一个执行的所述非易失性存储器的读取操作不包括判定要访问的字线的高端页编程状态的操作。
16.一种存储器控制器,包括:
主机接口,被配置为与主机设备接口;
存储器接口,被配置为与包括多条字线的非易失性存储器接口;
处理器,被配置为依据从所述主机接口接收到的请求将命令发送给所述存储器接口;以及
存储器,被配置为存储所述非易失性存储器的多条字线中的每一条的高端页编程状态,
其中,所述处理器响应于经由所述主机接口接收到的读取请求而访问所述存储器来确定所述多条字线之中的要访问的字线的高端页编程状态,并且依据所确定的要访问的字线的高端页编程状态来将多个不同的读取命令之一发送到所述存储器接口。
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