[发明专利]一种多芯片LED封装体的制作方法

权利要求书

1.一种多芯片LED封装体的制作方法，其特征在于，包括：

步骤1：选择一金属基板(1)，在金属基板(1)表面制作多个用于放置LED芯片的位置(2)，同时在金属基板(1)边缘制作多个用于与LED芯片金线焊接的金属电极(3)；

步骤2：制作PCB基板，该PCB基板包括第一层机械层(4)和第二层机械层(6)，第一层机械层(4)机械压制于第二层机械层(6)之上，且第二层机械层(6)的宽度小于第一层机械层(4)的宽度；在第一层机械层(4)的背面制作有与金属基板(1)上的电极(3)相对应的多个金属电极(5)，在第二层机械层(6)的中心具有贯穿第二层机械层(6)的通孔(7)，通孔(7)的侧壁电镀金属使其能够与电极(5)导通；在第二层机械层(6)的背面制作金属电极(8)，使其与通孔(7)的侧壁金属导通；

步骤3：将金属基板(1)卡进PCB基板的直角拐角内，并将金属基板(1)上的金属电极(3)与PCB基板上的金属电极(5)焊接在一起，使金属基板(1)与PCB基板固定在一起，完成LED支架的制作；

步骤4：选择LED芯片(9)，将该LED芯片(9)放置于所述LED支架的位置(2)上，并用银浆或绝缘胶固定；

步骤5：用金线10将LED芯片(9)与支架的金属电极(3)连接；

步骤6：灌入硅胶，在150℃下固化。

2.根据权利要求1所述的多芯片LED封装体的制作方法，其特征在于，步骤1中所述金属基板为铝基板、铜基板、钨铜基板或钼铜基板，且该金属基板为正方形、长方形或圆形。

3.根据权利要求1所述的多芯片LED封装体的制作方法，其特征在于，步骤2中所述第二层机械层(6)的厚度与步骤1中所述金属基板(1)的厚度相同。

4.根据权利要求1所述的多芯片LED封装体的制作方法，其特征在于，步骤2中所述通孔(7)只贯通第二层机械层(6)，或者同时贯通第一层机械层(4)与第二层机械层(6)，形成可插针的通孔。

5.根据权利要求1所述的多芯片LED封装体的制作方法，其特征在于，步骤3中所述将金属基板(1)上的金属电极(3)与PCB基板上的金属电极(5)焊接在一起，是采用回流焊的方式进行的。

6.根据权利要求1所述的多芯片LED封装体的制作方法，其特征在于，步骤4中所述LED芯片(9)包括正装芯片、倒装芯片或垂直芯片。

7.根据权利要求1所述的多芯片LED封装体的制作方法，其特征在于，步骤5中所述用金线10将LED芯片(9)与支架的金属电极(3)连接，是采用压焊的方法实现的。