[发明专利]一种检测偏移的测试结构有效
| 申请号： | 201410077518.5 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN104900629B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 史航;陈永;仇峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 检测 偏移 测试 结构 | ||
1.一种检测偏移的测试结构，其特征在于，所述检测偏移的测试结构至少包括：
具有电阻结构的至少两条等距平行排列的第一金属层；
金属连接孔，形成于第一金属层的一端上；
第一焊垫，与所述第一金属层的另一端连接；
至少两条第二金属层，形成于所述金属连接孔上且与金属连接孔对准接触；所述第二金属层和金属连接孔相对于所述第一金属层存在偏移；
第二焊垫，与所述第二金属层连接。
2.根据权利要求1所述的检测偏移的测试结构，其特征在于：每一条第一金属层上形成有至少一个金属连接孔。
3.根据权利要求1所述的检测偏移的测试结构，其特征在于：相邻第一金属层上的所述金属连接孔间的间距大于相邻第一金属层间的间距。
4.根据权利要求3所述的检测偏移的测试结构，其特征在于：越靠近两边的所述第一金属层，其与对应的金属连接孔间的接触尺寸越小。
5.根据权利要求4所述的检测偏移的测试结构，其特征在于：所述接触尺寸小于或等于极限值，定义为所述第一金属层与对应的金属连接孔断开连接。
6.根据权利要求1所述的检测偏移的测试结构，其特征在于：所述电阻结构为高电阻多晶硅。
7.根据权利要求6所述的检测偏移的测试结构，其特征在于：所述电阻结构的阻值范围为100～10000ohm/SQ。
8.根据权利要求7所述的检测偏移的测试结构，其特征在于：最外边两条第一金属层上电阻结构的电阻大于其余条第一金属层上电阻结构的电阻。
9.根据权利要求1所述的检测偏移的测试结构，其特征在于：所述第一金属层的线宽与第二金属层的线宽相等。
10.根据权利要求9所述的检测偏移的测试结构，其特征在于：所述第一金属层和第二金属层的线宽范围均为100～500nm。
11.根据权利要求1所述的检测偏移的测试结构，其特征在于：所述第一焊垫为铜焊垫；所述第二焊垫为铜焊垫。
12.根据权利要求1所述的检测偏移的测试结构，其特征在于：所述第一金属层为铜金属；所述第二金属层为铜金属。
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