[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成具有开口的掩膜层，所述开口暴露出部分半导体衬底的表面；

在所述掩膜层的侧壁表面形成牺牲侧墙；

在所述开口内形成栅极结构，所述栅极结构表面与牺牲侧墙的表面齐平；

去除所述掩膜层，在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成源极和漏极；

在所述半导体衬底表面形成第一介质层，所述第一介质层的表面与牺牲侧墙的顶面齐平，暴露出牺牲侧墙的顶部表面；

去除所述牺牲侧墙，形成空腔；

还包括：在所述牺牲侧墙侧壁表面形成保护层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲侧墙的形成方法包括：在所述开口内壁表面以及掩膜层表面形成侧墙材料层；刻蚀所述侧墙材料层，去除位于掩膜层表面以及开口底部的侧墙材料层，形成位于开口侧壁表面的牺牲侧墙，所述牺牲侧墙的顶部宽度小于底部宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲侧墙材料与掩膜层材料不同。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲侧墙内具有N型或P型掺杂离子。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掺杂离子的浓度为1E20atom/cm³～5E22atom/cm³。

6.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜层材料为氧化硅、牺牲侧墙的材料为碳化硅。

7.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成牺牲侧墙后，进行退火处理，使所述牺牲侧墙内的掺杂离子扩散进入半导体衬底内，形成轻掺杂区。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理的温度为900℃～1100℃，退火时间为1分钟～100分钟。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅或氮化硅。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为5nm～100nm。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构、源极和漏极的形成方法包括：在所述开口底部的半导体衬底表面形成界面层以及位于所述界面层表面填充满所述开口的伪栅极，所述伪栅极的表面与牺牲侧墙的顶部表面齐平；刻蚀去除部分厚度的伪栅极；在伪栅极表面形成覆盖层，所述覆盖层的表面与牺牲侧墙的顶部表面齐平；去除掩膜层之后，以所述覆盖层和牺牲侧墙为掩膜，对所述伪栅极两侧的半导体衬底内进行离子注入，形成源极和漏极；再在所述半导体衬底表面形成第一介质层，所述第一介质层的表面与牺牲侧墙的顶部表面齐平；去除所述覆盖层和伪栅极，形成凹槽；在所述凹槽内形成栅极结构，所述栅极结构包括位于凹槽内壁表面的栅介质层、位于所述栅介质层上填充满所述凹槽的栅极。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在所述源极和漏极表面形成金属硅化物层之后，再形成所述第一介质层。

13.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构的形成方法包括：形成覆盖凹槽内壁表面、牺牲侧墙的顶部表面、第一介质层表面的栅介质材料层；形成位于栅介质材料层上并填充满凹槽的栅极材料层；以所述第一介质层为停止层，对所述栅极材料层和栅介质材料层进行平坦化，去除第一介质层表面的栅介质材料层以及栅极材料层，暴露出牺牲侧墙的顶部表面，所述牺牲侧墙的顶部宽度小于牺牲侧墙底部宽度的1/2。

14.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构内还包括位于栅介质层和栅极层之间的盖帽层。

15.根据权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，待形成半导体结构为NMOS晶体管，则所述盖帽层的材料为氧化镧；待形成半导体结构为PMOS晶体管，则所述盖帽层的材料为氧化铝。