[发明专利]光电转换装置和成像系统

说明书

技术领域

本发明涉及光电转换装置和成像系统。

背景技术

CMOS图像传感器的光电转换装置包含像素和读取电路，所述像素包含光电转换元件，所述读取电路适于读取源自由像素所执行的光电转换的信号。并且，取决于读取系统和增加的功能，光电转换装置包括感度切换(sensitivity switching)电路、采样保持电路以及扫描电路等。

日本专利申请公开No.2011-139427的图2公开了示出光电转换装置的单位像素和传送单元的配置的电路图。光电转换装置包括用于感度切换的MOS晶体管和电容器。将描述在MOS晶体管断开的情况下从输入端子电气切离电容器的情况。在价电子带与导电带之间存在能带间隙。在MOS晶体管的源极区域与副栅极(sub-gate)区域之间的pn结处，从源极区域向栅极下的区域的方向上的能带间隙宽度比MOS晶体管导通时小。因此，电子趋于在正方向上越过能带间隙，从而使得更容易出现隧穿电流。隧穿电流变为光电转换装置的暗电流。当MOS晶体管处于断开时所产生的隧穿电流被蓄积在输入端子或者电容器上以变为暗电流。作为噪声的暗电流具有降低光电转换装置的信噪比的问题。

发明内容

根据本发明的一个方面，光电转换装置包括像素，其中，所述像素包含：光电转换元件，其被配置为将光转换成电荷；缓冲器，其具有与所述光电转换元件的输出端子连接的输入端子，用于对基于所述光电转换元件的电荷的电压执行缓冲；电容器，其具有与所述光电转换元件的输出端子连接的第一电极；第一开关，其连接在所述电容器的第二电极与所述缓冲器的输出端子之间；以及第二开关，其连接在所述电容器的第二电极与固定电压节点之间。

从以下参照附图的示例性实施例的描述，本发明的其它特征将变得明显。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的光电转换装置的配置示例的电路图。

图2是描述根据第一实施例的光电转换装置的操作的时序图。

图3是示出根据第一实施例的光电转换装置的配置示例的电路图。

图4是示出根据第一实施例的光电转换装置的配置示例的电路图。

图5是示出根据第二实施例的光电转换装置的配置示例的电路图。

图6是示出根据第三实施例的光电转换装置的配置示例的电路图。

图7是示出电容器的配置示例的电路图。

图8是示出用于相位差AF的光电转换装置的配置示例的示图。

图9是示出成像系统的配置示例的示图。

具体实施方式

将根据附图详细描述本发明的优选实施例。

(第一实施例)