[发明专利]承载装置、反应腔室和半导体加工设备

权利要求书

1.一种承载装置，包括托盘，在所述托盘的上表面上设置有多个第一凹槽，被加工工件置于所述第一凹槽内，其特征在于，在每个第一凹槽的底面上且位于其边界处设置有沿该第一凹槽的周向间隔且均匀分布的至少三个第二凹槽；

所述承载装置还包括数量与所述第二凹槽的数量相对应的辅助件，所述辅助件具有两个延伸端以及位于所述两个延伸端之间的旋转轴，其中，所述辅助件通过所述旋转轴可旋转地设置在所述第二凹槽内；在所述两个延伸端中，第一延伸端延伸至所述第二凹槽内且位于所述被加工工件的边界内侧，第二延伸端延伸至所述第二凹槽外且靠近所述第二凹槽位于所述被加工工件的边界外侧；并且

在所述第一凹槽内未放置被加工工件时，所述第一延伸端高于所述第一凹槽的底面；在向所述第一凹槽内放置被加工工件的过程中，所述第一延伸端在该被加工工件的重力作用下被下压，以使其围绕所述旋转轴旋转至所述第二凹槽内，同时带动所述第二延伸端围绕所述旋转轴旋转上升；在机械手获取位于所述第一凹槽内的被加工工件的过程中，所述第二延伸端在所述机械手的重力作用下被下压，以使其围绕所述旋转轴下降，同时带动所述第一延伸端围绕所述旋转轴旋转上升，以使所述第一延伸端将所述被加工工件顶起。

2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述第一凹槽包括由上而下依次叠置的上直孔和下直孔，所述上直孔的直径大于下直孔的直径，并且

所述被加工工件置于所述下直孔内，且所述下直孔的直径与所述被加工工件的直径相对应，并且所述第二凹槽设置在所述下直孔内的底面上且位于其边界处；

所述第二延伸端延伸至所述上直孔内，且在所述第一凹槽内放置有被加工工件时，所述第二延伸端与所述上直孔的孔壁具有水平间距。

3.根据权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述旋转轴与所述第二凹槽的位于所述下直孔的边界外侧的边沿可旋转地连接。

4.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述第一凹槽为直孔，所述被加工工件置于所述直孔内，且所述直孔的直径与所述被加工工件的直径相对应，并且所述第二凹槽设置在所述直孔内的底面上且位于其边界处；

所述第二延伸端延伸至所述托盘上表面外侧。

5.根据权利要求4所述的承载装置，其特征在于，所述旋转轴与所述第二凹槽的位于所述直孔的边界外侧的边沿可旋转地连接。

6.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述第二凹槽的位于所述第一凹槽的边界内侧的侧壁与所述第一凹槽边界之间的水平间距的取值范围在0.1～3mm。

7.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述两个延伸端的端面形状包括凸出的曲面。

8.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，对应于每个所述第一凹槽，所述第二凹槽的数量为三个或者四个。

9.一种反应腔室，包括承载装置，所述承载装置设置在所述反应腔室内，用以承载被加工工件，其特征在于，所述承载装置采用权利要求1-8任意一项所述的承载装置。

10.一种半导体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室采用权利要求9所述的反应腔室。