[发明专利]带图案基板的加工方法及带图案基板的加工装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种对在基板上二维地重复配置多个单位图案而成的带图案基板进行分割的方法。 

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)元件是利用如下制程而制造，即，将在例如蓝宝石单晶等基板(晶片、母基板)上二维地重复形成LED元件的单位图案而成的带图案基板(带LED图案基板)在设置成栅格状的称为切割道的分割预定区域上进行分割而单片化(芯片化)。此处，所谓切割道是通过分割而成为LED元件的2个部分的间隙部分即窄幅区域。 

作为用于这种分割的方法，众所周知如下方法：以各个单位脉冲光的被照射区域沿着加工预定线离散地分布的条件，照射作为脉冲宽度为psec(picosecond，微微秒)级的超短脉冲光的激光光束，借此，沿着加工预定线(通常为切割道中心位置)形成用于分割的起点(例如参照专利文献1)。在专利文献1所揭示的方法中，于在各个单位脉冲光的被照射区域所形成的加工痕迹之间，产生劈裂或破裂导致的裂纹伸展(裂痕伸展)，通过沿着这种裂纹分割(分断)基板而实现单片化。 

[背景技术文献] 

[专利文献] 

[专利文献1]日本专利特开2011-131256号公报 

发明内容

[发明所要解决的问题] 

在如上所述的带图案基板中，通常，沿着与设置在蓝宝石单晶基板的定向平面(orientation flat)平行的方向及与该定向平面正交的方向配置单位图案。因此，在这种带图案基板中，切割道沿着与定向平面平行的方向及与该定向平面垂直的方向延伸。因此， 当将带图案基板单片化后，所获得的各个LED元件存在4个分割面。 

当利用专利文献1所揭示的方法进行这种单片化时，在各个LED元件的分割面的表面侧附近，通过以所述形态沿着加工预定线照射脉冲激光光束而在各个单位脉冲光的被照射区域离散地形成微小的加工痕迹。各个加工痕迹是在基板厚度方向上具有长边方向的大致锥状、大致楔形状、或大致柱状的微小孔部，且在该孔部表面形成蓝宝石基板等的构成物质改质所得的改质区域而成，或改质区域自身呈现基板厚度方向上具有长边方向的大致锥状、大致楔形状、或大致柱状地存在，总之，各个加工痕迹是作为阻碍自LED元件内部发出的光透过且对于该光不透明的区域而存在。因此，就提高LED元件中的光提取效率的观点来说，较理想的是尽可能地抑制加工痕迹的形成。然而，只使加工痕迹的形成间隔增大，削减加工痕迹的个数在产生裂纹伸展时，必须使脉冲激光光束的功率更大，或在分断时需要更多的力，其结果，对成为LED元件的部分造成损害，或无法良好地沿着加工预定线分割带图案基板的可能性变高，因而欠佳。 

本发明是鉴于所述课题而完成，其目的在于提供一种可不使带图案基板的分割产生缺陷且与以往相比削减加工痕迹的形成个数的带图案基板的加工方法。 

[解决问题的技术手段] 

为了解决所述课题，技术方案1的发明的特征在于：该技术方案1是对在单晶基板上二维地重复配置多个单位图案而成的带图案基板进行加工的方法，且包括：分割起点形成步骤，通过沿着设定在所述带图案基板上的加工预定线照射激光光束而在所述带图案基板上形成分割起点；及分断步骤，将所述带图案基板通过沿着所述分割起点分断而单片化；且，所述分割起点形成步骤包含通过使所述激光光束沿着所述加工预定线一面扫描一面照射，而使借助所述激光光束的各个单位脉冲光形成在所述带图案基板上的加工痕迹沿着所述加工预定线离散地分布，并且使裂纹自各个加工痕迹在所述带图案基板上伸展的裂纹伸展加工步骤，且在所述分割起点形成步骤中，以沿着所述加工预定线交替地形成第1区域与第2区域的方式，沿着所述加工预定线间歇地实施所述裂纹伸展加工步骤，该第1区域利用实施所述裂纹伸展加工步骤而等间隔地形成有所述加工痕迹，该第2区域未实施所述裂纹伸展加工步骤而未形成所述加工痕迹。 

技术方案2的发明根据技术方案1所述的带图案基板的加工方法，其特征在于：沿着所述加工预定线的方向上的所述单位图案的尺寸为沿着所述加工预定线的方向上的所述第1区域的尺寸与所述第2区域的尺寸之和的整数倍，沿着所述加工预定线的方向上的所述第2区域的尺寸相对于所述第1区域的尺寸之比为20／80以上且60／40以下。 

技术方案3的发明根据技术方案2所述的带图案基板的加工方法，其特征在于：在 沿着所述加工预定线的方向上，所述第1区域中的所述加工痕迹的间隔为400μm以下，所述第2区域的尺寸为100μm以下。