[发明专利]有机发光二极管显示器有效
| 申请号: | 201410066726.5 | 申请日: | 2014-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN104124263B | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
| 发明(设计)人: | 朴玉京;尹秀娟 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;杨莘 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
一种有机发光二极管(OLED)显示器包括:第一电极,围绕虚拟正方形的中心点;第二电极,围绕所述虚拟正方形的第一顶点和与所述第一顶点成对角的第二顶点,所述第二电极彼此分离并且所述虚拟正方形的中心点位于所述第二电极之间;第三电极,围绕所述虚拟正方形的第三顶点和第四顶点,所述第三电极彼此分离并且所述虚拟正方形的中心点位于所述第三电极之间;像素限定层,部分地位于所述第一电极、第二电极和第三电极上,并且使所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极部分地暴露;以及四个隔垫物,被设置为位于所述像素限定层上的岛并且对应于所述虚拟正方形的四个边。
技术领域
本发明的实施方式的各方面涉及有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
显示装置是用于显示图像的装置。近来,OLED显示器已经得到了关注。由于OLED显示器不同于液晶显示装置,具有自发光特征并且不需要单独的光源,因此与旧有技术相比能够减少它们的厚度和重量。此外,OLED显示器具有高品质特征,例如低功耗、高亮度和高响应速度。
一般地,OLED显示器包括第一衬底、设置于第一衬底上的第一电极、包括使第一电极暴露的开口的像素限定层、设置在第一电极上且与开口对应的有机发光层、设置在有机发光层上的第二电极、以及设置在第一电极上的第二衬底。
更新的OLED显示器还可包括设置在像素限定层上的隔垫物以通过增加有机发光层与第二衬底之间的间隙来使由第二衬底引起的干扰减少或最小化。然而,在包括隔垫物的传统的OLED显示器中,隔垫物简单地设置在像素限定层的未开放的部分上而不管包括在像素限定层中的开口的形状如何。
在背景技术部分公开的上述信息仅用于增强对本发明的背景的理解,因此它可能包含不形成已经为此国家的本领域普通技术人员所知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的实施方式涉及有机发光装置的像素对齐结构。更具体地,本发明的实施方式涉及包括OLED的像素结构和设置在像素限定层上 的隔垫物,其中所述像素限定层使所述OLED的第一电极暴露。
本发明的实施方式提供了一种OLED显示器,该OLED显示器包括设置在像素限定层上的隔垫物并且考虑到包含在所述像素限定层中的开口的形状以通过增加所述隔垫物在所述OLED显示器的整个面积中的面积比,使衬底对有机发光层的干扰减少或最小化。
在本发明的一个实施方式中,提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器。所述OLED显示器包括:第一电极,围绕虚拟正方形的中心点;第二电极,围绕所述虚拟正方形的第一顶点和与所述第一顶点成对角的第二顶点,所述第二电极彼此分离并且所述虚拟正方形的中心点位于所述第二电极之间;第三电极,围绕所述虚拟正方形的第三顶点和第四顶点,所述第三电极彼此分离并且所述虚拟正方形的中心点位于所述第三电极之间;像素限定层,部分地位于所述第一电极、第二电极和第三电极上,并且使所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极部分地暴露;以及四个隔垫物,被设置为位于所述像素限定层上的岛并且对应于所述虚拟正方形的四个边。
所述像素限定层可具有:第一开口,使所述第一电极暴露并且具有第一多边形形状,所述第一多边形形状的中心与所述虚拟正方形的中心点重合;第二开口,使所述第二电极暴露并且具有第二多边形形状,所述第二多边形形状的中心与所述第一顶点和所述第二顶点重合;第三开口,使所述第三电极暴露,并且具有第三多边形形状,所述第三多边形形状的中心与所述第三顶点和所述第四顶点重合。
所述虚拟正方形的中心点与所述四个隔垫物的中心之间的距离可相等。
所述四个隔垫物中的每个可具有正方形形状。
每个所述隔垫物可具有长方形形状,所述长方形形状的长边被所述虚拟正方形的四个边的对应边平分。
所述第二开口和所述第三开口中的每个可具有比所述第一开口大的面积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





