[发明专利]一种石墨烯和纳米线的复合材料及其制备方法无效
| 申请号: | 201410066169.7 | 申请日: | 2014-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN103794265A | 公开(公告)日: | 2014-05-14 |
| 发明(设计)人: | 邱玉锐;杨军;王炜;谭化兵;李慧峰 | 申请(专利权)人: | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
| 主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;B32B15/14;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人: | 高松 |
| 地址: | 214000 江苏省无锡市惠山*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 石墨 纳米 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯和纳米线的复合材料,包括基底,其特特征在于,由内向外,在基底的表面至少包括一层纳米线,并且最外层为石墨烯。
2.根据权利要求1所述石墨烯和纳米线的复合材料,其特特征在于,石墨烯与纳米线交替层叠。
3.根据权利要求1或2所述石墨烯和纳米线的复合材料,其特特征在于,由内向外,在基底的表面依次为纳米线和石墨烯;或者依次为石墨烯、纳米线和石墨烯;或者依次为纳米线、石墨烯、纳米线和石墨烯。
4.根据权利要求1或2所述石墨烯和纳米线的复合材料,其特特征在于,所述纳米线为导体纳米线或半导体纳米线。
5.根据权利要求4所述石墨烯和纳米线的复合材料,其特特征在于,所述的导体纳米线包括铜、银、钴、金、镍、锌、铁、铂、钌、钼、铌、铱、钯、钛、镐、钨、钒、铋和碳中的至少一种;所述的半导体纳米线包括钼酸钾、钼酸钠、氧化钛、氧化锌、氧化钽、氧化钼、硅、磷化铟、氮化镓、氧化亚铜、氧化铜、碳化硅、氮化铝、砷化镓、砷化铟、钒酸锂、钛酸铅、硒、钴酸镍、硫化锌、氧化铋、氧化钴、氧化锰、氧化镓、硫化银、硫化镉、硫化铜、硫化亚铜、氧化铟、硫化铟、氧化锡、碲化铋、碲化镉、硫化锰、氧化钨、碲化铋、氧化钒、氧化铁、硒化镉、氧化锗、氧化铟、氮化铟、硒化铜和硒化亚铜中的至少一种。
6.根据权利要求1或2所述石墨烯和纳米线的复合材料,其特特征在于,所述基底为聚苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚氯乙烯、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、石英、玻璃或硅片。
7.权利要求1所述石墨烯和纳米线的复合材料的制备方法,包括向基底表面转移石墨烯和涂布纳米线,其特征在于,包括:
(1)至少向基底表面涂布一层纳米线;
并且(2)使最外层为石墨烯。
8.根据权利要求7所述石墨烯和纳米线的复合材料的制备方法,其特征在于:向基底表面依次涂布纳米线和转移石墨烯;或者依次转移石墨烯、涂布纳米线和转移石墨烯;或者依次涂布纳米线、转移石墨烯、涂布纳米线和转移石墨烯。
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