[发明专利]一种催化降解有机污染物的方法有效

专利信息
申请号: 201410054415.7 申请日: 2014-02-18
公开(公告)号: CN103785131A 公开(公告)日: 2014-05-14
发明(设计)人: 刘温霞;高文文;王晓卫;王兴琪;扈斌 申请(专利权)人: 齐鲁工业大学
主分类号: A62D3/17 分类号: A62D3/17;B01J27/04;A62D101/28
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 袁敬清
地址: 250399 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 催化 降解 有机 污染物 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种催化降解有机污染物的方法,属于光催化降解技术领域。

背景技术

随着能源危机和环境污染的日益加重,开发使用清洁能源如太阳能,及利用光催化半导体材料降解污染物受到越来越多的关注。二氧化钛是最早被发现具有光催化作用的半导体材料,由于其来源丰富、成本低廉、化学性质稳定性、无毒副作用、光生空穴氧化性强等,也是目前光催化材料领域中最受关注的半导体光催化剂。但二氧化钛化纳米材料对太阳光利用率低较低,只在占太阳光总能量5%左右的紫外光范围内有光响应,通过掺杂、复合、负载、沉积其它金属、非金属离子、贵金属、半导体材料等只能有限地拓宽其光响应范围。

金属硫化物是半导体材料大家族中非常重要的组成部分,尤其是晶胞中硫原子数量大于金属原子数量的金属多硫化物(如MoS2、WS2等)由于具有特殊的光学、机械和催化性能已经成为半导体材料研究领域的热点。多硫化铟(In2S3),又称硫化铟,是一种典型的Ⅲ-Ⅵ族硫化物,存在三种不同的晶形:α-In2S3、β-In2S3和γ-In2S3。其中的β-In2S3是一种n型半导体,具有阳离子缺陷的尖晶石结构,其禁带宽度为2.0-2.2 eV,在纳米光电子器件中已得到广泛应用。与二氧化钛化纳米材料相比,β-In2S3纳米材料能对紫外光和可见光产生响应,且能在紫外和可见光激发下对有机污染物进行催化降解;但是,对太阳光总能量44%的近红外波段,目前仍尚未充分利用。

发明内容

本发明通过研究实验发现,β-In2S3纳米材料能对近红外光产生响应,从而在近红外光激发下降解有机污染物。

所以,本发明提供了一种采用β-In2S3纳米材料催化降解有机污染物的方法。

本发明的技术方案

一种催化降解有机污染物的方法,β-In2S3纳米材料在近红外光激发下用于催化降解有机污染物。

具体方法为:将β-In2S3纳米材料置于有机污染物中,然后用近红外光照射。

所述β-In2S3纳米材料呈球形颗粒、粒径为5-10nm;所述球形包括近似球形。

所述近红外光由红外灯光源被滤波片滤掉波长为200nm-780nm 的光线后所剩余的光线提供。

所述有机物特别是甲基橙。

上述方法,可以使用一般的石英反应器在搅拌的条件下来完成。

为了提高β-In2S3纳米材料对有机污染物的降解能力,所述β-In2S3纳米材料优选采用下述方法制备而成:

在搅拌下,将硫源水溶液缓慢加入到铟源水溶液中,形成黄色溶胶;然后,用硝酸将溶胶pH值调节到1-3;再将调整pH后的溶胶在160-200oC下水热反应16-24小时,然后过滤得到的沉淀物;沉淀物经洗涤、干燥即得产品;

该制备方法,通过制备过程中各参数的调整和配合,使获得的β-In2S3纳米材料在近红外光激发下对有机污染物的降解率明显提高。

上述β-In2S3纳米材料的制备过程中,所述硫源水溶液由可溶性硫化物溶解于去离子水而成,如,由硫化钾、硫化铵或硫化钠溶解于去离子水而成;所述铟源水溶液由硝酸铟、氯化铟溶解于去离子水而成。为了进一步提高β-In2S3纳米材料对有机污染物的催化性能,优选的,硫源水溶液为硫化钠溶解于去离子水而成、铟源水溶液为硝酸铟溶解于去离子水而成。

上述β-In2S3,其纳米材料的制备过程中,为了提高β-In2S3的结晶度,所述铟源水溶液中铟和与硫源水溶液中硫的摩尔比优选为1:2.5。

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