[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201410048867.4 | 申请日： | 2014-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN103996631A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 松下毅;望月英司;西泽龙男;斋藤俊介 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 张鑫 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：准备具有U字形状的焊锡板的工序；在基板上放置所述焊锡板的工序；在所述焊锡板上放置半导体芯片的工序；在还原性气体的气氛中对所述焊锡板进行熔融的工序；以及减压工序，在该减压工序中，在所述焊锡板熔融后将所述还原性气体的气氛的气压降低至低于大气压的气压。
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述焊锡板包含有Sn及Sb。
3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述焊锡板包含有8～15wt％的Sb。
4.如权利要求1至3的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述还原性气体为氢气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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