[发明专利]使用模型确定与等离子体系统关联的晶片偏置

权利要求书

1.一种用于确定晶片偏置的方法，该方法包括：

检测发生器的输出以识别发生器输出复电压和电流，所述发生器的输出耦合到阻抗匹配电路的输入，所述阻抗匹配电路通过射频(RF)传输线耦合到等离子体室的静电卡盘(ESC)；

从所述发生器输出复电压和电流确定沿着所述阻抗匹配电路的模型的输出和所述静电卡盘(ESC)的模型之间的路径的点处的投射的复电压和电流，所述投射的复电压和电流的确定使用所述路径的至少一部分的模型来执行，所述路径的至少一部分的模型具有沿着所述路径的物理部件的特征；以及

施加所述投射的复电压和电流作为函数的输入以将所述投射的复电压和电流映射到在所述静电卡盘(ESC)模型处的晶片偏置值。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述函数的特征在于：对代表所述路径的物理属性的值的求和，其中，所述投射的复电压和电流被用于所述值的所述求和中。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述路径的所述物理属性是从测试数据获得的值。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述函数是特征值与常数的和，所述特征值包括幅值和系数，所述幅值从所述投射的复电压和电流得出，所述系数和所述常数含有经验模型数据。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述系数是所述幅值的系数。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述经验模型数据包括基于对在所述静电卡盘(ESC)处的所述晶片偏置的测量值而获得的数据、基于对复电压和电流的幅值的确定而获得的数据、以及基于对在所述静电卡盘(ESC)处的所述晶片偏置的测量值与所述复电压和电流的幅值应用估计统计方法而获得的数据，对所述复电压和电流的幅值的确定基于所述阻抗匹配电路的所述模型和所述路径的至少一部分的所述模型作出。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述函数包括第一积、第二积、第三积和常数的和，其中所述第一积是系数和电压幅值的积，所述第二积是系数和电流幅值的积，所述第三积是系数和功率幅值的平方根的积，所述电压幅值从所述投射的复电压和电流求出，所述电流幅值从所述投射的复电压和电流求出，所述功率幅值从所述电流幅值和所述电压幅值计算出。

8.一种用于确定晶片偏置的方法，该方法包括：

接收在一个或多个发生器的一个或多个输出处测得的一个或多个发生器输出复电压和电流，所述一个或多个发生器的所述一个或多个输出耦合到阻抗匹配电路，所述阻抗匹配电路通过射频(RF)传输线耦合到等离子体室的静电卡盘(ESC)；

从所述一个或多个发生器输出复电压和电流确定沿着所述阻抗匹配电路的模型和所述静电卡盘(ESC)的模型之间的路径的点处的投射的复电压和电流，这些模型具有沿着所述路径的物理部件的特征；以及

通过使用所述投射的复电压和电流作为函数的输入来计算在所述点处的晶片偏置。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述函数的特征在于：对代表所述路径的物理属性的值的求和，其中，所述投射的复电压和电流被用于所述值的所述求和中。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述路径的所述物理属性是从测试数据获得的值。

11.根据权利要求8的方法，其中所述函数是特征值与常数的和，所述特征值包括幅值和系数，所述幅值从所述投射的复电压和电流得出，所述系数和所述常数含有经验模型数据。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述系数是所述幅值的系数。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述经验模型数据包括基于对在所述静电卡盘(ESC)处的晶片偏置的测量值而获得的数据、基于对复电压和电流的幅值的确定而获得的数据、以及基于对在所述静电卡盘(ESC)处的所述晶片偏置的所述测量值与所述复电压和电流的幅值应用估计统计方法而获得的数据，对所述复电压和电流的幅值的确定基于所述阻抗匹配电路的所述模型和所述路径的至少一部分的模型作出。