[发明专利]用于实施基于地址的SRAM访问协助的系统和方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

接收用于存储器访问的地址；

基于所述地址，确定访问协助被使能用于存储器阵列的与所述地址相对应的至少一个存储单元；以及

将所述访问协助应用到所述至少一个存储单元以实施所述存储器访问。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述访问协助包括位线电压提升、字线电压提升和供电电压提升中的至少一个。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述访问协助指定电压提升的水平。

4.如权利要求1所述的方法，其中应用所述访问协助包括：

将第一访问协助变体应用到所述至少一个存储单元的第一存储单元；以及

同时将第二访问协助变体应用到所述至少一个存储单元的第二存储单元。

5.如权利要求1所述的方法，进一步包括接收非地址条件并且确定所述访问协助被使能是基于所述非地址条件的。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述非地址条件包括所测量的温度、所测量的供电电压、操作频率、老化因素和经缩放的供电电压中的一个或多个。

7.如权利要求5所述的方法，其中所述非地址条件包括读操作或写操作中的一个或多个。

8.如权利要求5所述的方法，进一步包括基于所述非地址条件修改所述访问协助。

9.如权利要求1所述的方法，进一步包括生成指定使能所述访问协助用于其的所述至少一个存储单元的访问协助图。

10.如权利要求9所述的方法，其中生成所述访问协助图包括：

在所述访问协助被禁用的情况下访问所述存储单元阵列；

标识所述存储器阵列的失败存储单元；

在所述访问协助被使能的情况下，访问所述存储单元阵列的所述失败存储单元；

在所述访问协助图中指示在所述访问协助被使能的情况下通过的所述失败存储单元。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述访问协助图指定所要应用到所述至少一个存储单元的所述访问协助的变体。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述访问协助图为与所述地址相对应的第一存储单元指定所述访问协助的第一变体并且为与所述地址相对应的第二存储单元指定所述访问协助的第二变体。

13.如权利要求9所述的方法，进一步包括基于所述访问协助图分配所述存储器阵列的一部分。

14.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

生成第一访问协助图，所述第一访问协助图指定针对第一操作条件使能所述访问协助用于其的第一存储单元；以及

生成第二访问协助图，所述第二访问协助图指定针对第二操作条件使能所述访问协助用于其的第二存储单元。

15.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

生成第一访问协助图，所述第一访问协助图指定针对操作条件使能所述访问协助的第一变体用于其的第一存储单元；以及

生成第二协助图，所述第二协助图指定针对所述操作条件使能所述访问协助的第二变体用于其的所述第一存储单元。

16.如权利要求1所述的方法，进一步包括利用冗余存储单元替换错误存储单元。

17.一种集成电路，包括：

存储单元的存储器阵列；以及

访问协助电路，其耦连到所述存储单元的存储器阵列并且构造为：

接收用于存储器访问的地址；

基于所述地址确定访问协助被使能用于所述存储器阵列的与所述地址相对应的至少一个存储单元；以及

将所述访问协助应用到所述至少一个存储单元以实施所述存储器访问。

18.如权利要求17所述的集成电路，其中所述访问协助包括位线电压提升、字线电压提升和供电电压提升中的至少一个。

19.如权利要求18所述的集成电路，其中所述访问协助指定电压提升的水平。

20.如权利要求17所述的集成电路，其中所述访问协助电路进一步构造为接收非地址条件并且确定所述访问协助被使能是基于所述非地址条件的。