[发明专利]具有金属堆叠电极的太阳能电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201410032754.5 申请日: 2014-01-23
公开(公告)号: CN104051568A 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 林昆志 申请(专利权)人: 新日光能源科技股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 于宝庆;刘春生
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 金属 堆叠 电极 太阳能电池 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种具有金属堆叠电极的太阳能电池的制造方法,应用于一太阳能电池基板,所述制造方法包含以下步骤:

(a)制备一太阳能电池基板,所述太阳能电池基板具有多个半导体掺杂区;

(b)于所述半导体掺杂区上形成一接触金属层;以及

(c)于所述接触金属层上形成一金属导电浆层;

其特征在于,所述接触金属层与所述金属导电浆层的堆叠形成多个金属堆叠电极。

2.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,在所述步骤(c)之后包含一步骤(d),其于所述金属导电浆层上形成金属导电浆接着层。

3.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,步骤(b)在将所述接触金属层形成于所述半导体掺杂区上之前,还先在所述半导体掺杂区上形成多个绝缘层,而所述半导体掺杂区还分别于所述绝缘层之间曝露出。

4.一种具有金属堆叠电极的太阳能电池,包含:

一太阳能电池基板,具有多个半导体掺杂区;以及

多个金属堆叠电极,所述金属堆叠电极分别设置于所述半导体掺杂区上,且所述金属堆叠电极各包含:

一接触金属层,设置于所述半导体掺杂区上;及

一金属导电浆层,设置于所述接触金属层上。

5.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述半导体掺杂区上还设有多个绝缘层,且所述半导体掺杂区分别自所述绝缘层之间曝露出。

6.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属堆叠电极还包含一金属导电浆接着层,设置于所述金属导电浆层上。

7.如权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属导电浆接着层的厚度介于2~10μm。

8.如权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属导电浆接着层至少包含锡粉、溶剂以及树脂。

9.如权利要求8所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属导电浆接着层进一步包含银或铋。

10.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述接触金属层的组成成分为纯铝、铝硅合金、铝钕合金、纯钛、钛钨合金或镍钒合金。

11.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述接触金属层的厚度介于5~200nm。

12.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属导电浆层至少包含导电金属粉末、玻璃介质、粘合剂、溶剂以及树脂。

13.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属导电浆层的厚度介于10~100μm。

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