[发明专利]具有金属堆叠电极的太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号: | 201410032754.5 | 申请日: | 2014-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN104051568A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
| 发明(设计)人: | 林昆志 | 申请(专利权)人: | 新日光能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 于宝庆;刘春生 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 金属 堆叠 电极 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有金属堆叠电极的太阳能电池的制造方法,应用于一太阳能电池基板,所述制造方法包含以下步骤:
(a)制备一太阳能电池基板,所述太阳能电池基板具有多个半导体掺杂区;
(b)于所述半导体掺杂区上形成一接触金属层;以及
(c)于所述接触金属层上形成一金属导电浆层;
其特征在于,所述接触金属层与所述金属导电浆层的堆叠形成多个金属堆叠电极。
2.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,在所述步骤(c)之后包含一步骤(d),其于所述金属导电浆层上形成金属导电浆接着层。
3.如权利要求1所述的太阳能电池的制造方法,其特征在于,步骤(b)在将所述接触金属层形成于所述半导体掺杂区上之前,还先在所述半导体掺杂区上形成多个绝缘层,而所述半导体掺杂区还分别于所述绝缘层之间曝露出。
4.一种具有金属堆叠电极的太阳能电池,包含:
一太阳能电池基板,具有多个半导体掺杂区;以及
多个金属堆叠电极,所述金属堆叠电极分别设置于所述半导体掺杂区上,且所述金属堆叠电极各包含:
一接触金属层,设置于所述半导体掺杂区上;及
一金属导电浆层,设置于所述接触金属层上。
5.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述半导体掺杂区上还设有多个绝缘层,且所述半导体掺杂区分别自所述绝缘层之间曝露出。
6.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属堆叠电极还包含一金属导电浆接着层,设置于所述金属导电浆层上。
7.如权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属导电浆接着层的厚度介于2~10μm。
8.如权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属导电浆接着层至少包含锡粉、溶剂以及树脂。
9.如权利要求8所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属导电浆接着层进一步包含银或铋。
10.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述接触金属层的组成成分为纯铝、铝硅合金、铝钕合金、纯钛、钛钨合金或镍钒合金。
11.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述接触金属层的厚度介于5~200nm。
12.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属导电浆层至少包含导电金属粉末、玻璃介质、粘合剂、溶剂以及树脂。
13.如权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述金属导电浆层的厚度介于10~100μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





