[发明专利]电子发射装置及显示器

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子发射装置及显示器。

背景技术

电子发射显示装置在各种真空电子学器件和设备中是不可缺少的部分。在显示技术领域，电子发射显示装置因其具有高亮度、高效率、大视角，功耗小以及体积小等优点，可广泛应用于汽车、家用视听电器、工业仪器等领域。

通常，电子发射显示装置中采用的电子发射源有两种类型：热阴极电子发射源和冷阴极电子发射源。冷阴极电子发射源包括表面传导型电子发射源、场致电子发射源、金属-绝缘层-金属（MIM）型电子发射源等。

在MIM型电子发射源的基础上，人们又发展了金属-绝缘层-半导体层-金属（MISM）型电子发射源。MISM型电子发射源中增加了半导体层，以实现电子的加速，其相对于MIM型电子发射源稳定性较好。

MISM型电子发射源由于电子需要具有足够的平均动能才有可能穿过第一电极而逸出至真空，然而现有技术中的MISM型电子发射源中由于电子从半导体层进入第一电极时需要克服的势垒往往比电子的平均动能高，因而造成电子发射率低。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种具有较高电子发射率的电子发射装置及显示器。

一种电子发射装置，包括：多个条形第一电极，所述多个条形第一电极相互间隔并沿一第一方向延伸；多个条形第二电极，所述多个条形第二电极相互间隔并沿一第二方向延伸，所述多个条形第一电极和多个条形第二电极交叉且间隔设置，位于交叉位置处的条形第一电极与条形第二电极定义一电子发射单元，每一电子发射单元进一步包括位于条形第一电极与条形第二电极之间且依次层叠设置的一绝缘层、一电子收集层以及一半导体层，所述电子收集层为一导电层。

一种电子发射显示器，其包括：一基板，一设置于基板表面的电子发射装置，一阳极结构，所述阳极结构包括一阳极以及一荧光粉层，所述电子发射装置与所述荧光粉层相对且间隔设置，其中，所述电子发射装置为采用上述电子发射装置。

与现有技术相比较，由于在所述半导体层与所述绝缘层之间设置所述电子收集层，该电子收集层可起到有效收集并储存在所述半导体层与所述绝缘层之间的电子，从而提高所述电子发射装置的电子发射率。

附图说明

图1是本发明第一实施例提供的电子发射源的剖视图。

图2是本发明碳纳米管膜的扫描电镜照片。

图3是本发明多层交叉设置的碳纳米管膜的扫描电镜照片。

图4是本发明非扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。

图5是本发明扭转的碳纳米管线的扫描电镜照片。

图6是本发明第一实施例提供的电子发射源的制备方法流程图。

图7为本发明第二实施例提供的电子发射源的剖视图。

图8为本发明第三实施例提供的电子发射装置的剖视图。

图9是本发明第四实施例提供的电子发射装置的俯视示意图。

图10是图9所述电子发射单元沿A-A’线的剖视图。

图11是本发明第四实施例提供的电子发射显示器的剖视图。

图12为图11所述电子发射显示器的电子发射显示效果图。

图13为本发明第五实施例提供的电子发射装置的俯视示意图。

图14为图13所述电子发射装置沿B-B’线的剖视图。

图15为本发明第五实施例提供的电子发射显示器的剖视图。

主要元件符号说明