[发明专利]一种微纳米结构成形方法有效
| 申请号: | 201410018577.5 | 申请日: | 2014-01-16 |
| 公开(公告)号: | CN104793462A | 公开(公告)日: | 2015-07-22 |
| 发明(设计)人: | 张宜文 | 申请(专利权)人: | 四川云盾光电科技有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/00 | 分类号: | G03F7/00;G03F7/20;G02B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 林辉轮;王芸 |
| 地址: | 610207 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 纳米 结构 成形 方法 | ||
1.一种微纳米结构成形方法,其特征在于步骤如下:
(1)在基底表面涂覆光刻胶;
(2)将基底的光刻胶面和掩模图形分别放置于微透镜阵列的像面和物面处;
(3)在掩模图形上方放置毛玻璃,并利用光源照射毛玻璃产生散射光,作为掩模图形的曝光光源;
(4)对掩模图形进行缩小投影曝光,在曝光过程中,移动掩模图形或移动涂覆有光刻胶的基片,或移动微透镜阵列实现对抗蚀剂表面光强的连续调制;
(5)更换其它物体,并移动掩模图形、微透镜阵列、涂覆抗蚀剂基片三者之间的相对位置,重复步骤(4)实现不同物体的嵌套光刻;
(6)取出基片进行显影,即可获得需要的连续面形微结构。
2.根据权利要求1所述的微纳米结构成形方法,其特征在于:所述步骤(1)中的基底可以为红外材料(如:硅、锗),也可以是可见光材料(如:石英、玻璃等)。
3.根据权利要求1所述的微纳米结构成形方法,其特征在于:所述步骤(1)中的光刻胶的型号S1830,光刻胶的厚度为几百纳米到几微米。
4.根据权利要求1所述的微纳米结构成形方法,其特征在于:所述步骤(2)中掩模图形为周期图形,或为非周期图形。
5.根据权利要求1所述的微纳米结构成形方法,其特征在于:所述步骤(3)中的光源为汞灯光源。
6.根据权利要求1所述的微纳米结构成形方法,其特征在于:所述步骤(4)中对掩模图形进行缩小投影曝光的比例约100∶1~1000∶1。
7.根据权利要求1所述的微纳米结构成形方法,其特征在于:所述步骤(4)中的曝光时间为几十秒到几十分钟。
8.根据权利要求1所述的微纳米结构成形方法,其特征在于:所述步骤(4)中,掩模图形或者微透镜阵列或者基片的移动方式为平动,或转动。
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