[发明专利]具有有源内插器的集成电路封装有效

专利信息
申请号: 201410017304.9 申请日: 2014-01-15
公开(公告)号: CN103972224B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: S·陈;J·T·瓦特 申请(专利权)人: 阿尔特拉公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L21/50
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司11245 代理人: 赵蓉民
地址: 美国加*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 有源 内插 集成电路 封装
【权利要求书】:

1.一种集成电路封装,所述集成电路封装包括:

衬底;

内插器,其具有设置在所述衬底上方的多个嵌入式开关元件,其中所述多个嵌入式开关元件接收多个电源信号;以及

集成电路,其具有设置在所述衬底上方的多个电路块,其中所述多个嵌入式开关元件向所述多个电路块中的至少一个电路块提供所述多个电源信号中所选的电源信号。

2.根据权利要求1所述的集成电路封装,其中所述多个电路块中的每个电路块包括控制电路,所述控制电路控制来自所述多个嵌入式开关元件中的至少一个嵌入式开关元件。

3.根据权利要求2所述的集成电路封装,其中所述多个嵌入式开关元件包括多个晶体管,所述多个晶体管中的每个晶体管具有被耦合以接收所述多个电源信号中的电源信号的源极-漏极端,并且其中每个控制电路控制所述多个嵌入式开关元件中的相应的一组嵌入式开关元件。

4.根据权利要求3所述的集成电路封装,其中所述控制电路向所述多个晶体管中的至少一个晶体管的栅极提供控制信号,并且其中所述控制电路使用所述控制信号激活所述晶体管。

5.根据权利要求3所述的集成电路封装,其中所述多个晶体管包括多个P型金属氧化物半导体场效应晶体管。

6.根据权利要求1所述的集成电路封装,其中所述内插器包括衬底层和多个再分布层,其中所述多个再分布层包括耦合至所述集成电路的多个互连,其中所述多个嵌入式开关元件被形成在所述衬底层中,并且其中所述多个嵌入式开关元件通过所述多个互连耦合至所述集成电路。

7.根据权利要求1所述的集成电路封装,所述集成电路封装还包括:

设置在所述内插器上方的附加集成电路,其中所述内插器中的所述多个开 关元件将多个电源信号传输至所述集成电路和所述附加集成电路。

8.一种集成电路器件,该集成电路器件包括:

集成电路,其具有多个逻辑区,其中所述多个逻辑区的第一部分接收第一电源信号,并且其中所述多个逻辑区的第二部分接收第二电源信号;以及

内插器,其具有耦合至所述集成电路的多个开关元件,其中所述多个开关元件中的第一开关元件接收所述第一电源信号和所述第二电源信号,其中所述多个开关元件中的第二开关元件接收所述第一电源信号和所述第二电源信号,其中所述第一开关元件在所述多个开关元件的第一配置中向所述多个逻辑区的所述第一部分提供所述第一电源信号,并且其中所述第二开关元件在所述多个开关元件的所述第一配置中向所述多个逻辑区的所述第二部分提供所述第二电源信号。

9.根据权利要求8所述的集成电路器件,其中所述第一电源信号和所述第二电源信号分别包括第一电压电平和第二电压电平,其中所述第一开关元件在所述多个开关元件的第二配置中向所述多个逻辑区的所述第二部分提供所述第一电源信号,并且其中所述第二开关元件在所述多个开关元件的所述第二配置中向所述多个逻辑区的所述第一部分提供所述第二电源信号。

10.根据权利要求8所述的集成电路器件,其中所述多个开关元件中的每个开关元件选自于以下组成的群组中:P型金属氧化物场效应晶体管、N型金属氧化物场效应晶体管以及微机电开关。

11.根据权利要求8所述的集成电路器件,所述集成电路器件还包括:

所述多个逻辑区的所述第一部分中的第一控制电路;以及

所述多个逻辑区的所述第二部分中的第二控制电路,其中所述第一控制电路和所述第二控制电路选择性地分别使能所述第一开关元件和所述第二开关元件。

12.根据权利要求11所述的集成电路器件,其中所述第一控制电路和所述第二控制电路接收选自于以下组成的群组中的控制信号:配置随机存取存储器位、用户输入、来自外部电路的输出信号和预定电压电平。

13.根据权利要求8所述的集成电路器件,所述集成电路器件还包括:

耦合至内插器层的附加集成电路,其中所述附加集成电路包括多个附加逻辑区,其中所述多个开关元件向所述多个附加逻辑区提供多个电源信号。

14.根据权利要求8所述的集成电路器件,其中所述内插器包括衬底层和多个再分布层,其中所述多个再分布层包括耦合至所述集成电路的多个互连,并且其中所述多个开关元件被形成在所述衬底层中。

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