[发明专利]一种存储器及其读取方法、读取电路

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括；

存储阵列；

行译码电路，用于在读取操作期间将字线电压加载到选中的字线上；

列译码电路，用于根据读取操作的数据选择目标存储单元使用的源线，所述目标存储单元使用被选中的字线；

读取电路，包括：

第一输入端，通过所述列译码电路与所述存储阵列中存储单元的源线相连，用于接入目标存储单元的读取电流；

第二输入端，用于接入基准电流；

比较节点，用于比较所述读取电流和参考电流以输出读取结果，所述参考电流与所述基准电流相关。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储阵列包括：

按行和列排布的存储单元；

多条字线，同行的存储单元共用一条字线；

多条位线，同列的存储单元共用一条位线；

多条源线，同列的存储单元共用一条源线且在行上相邻的存储单元使用独立的源线。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述存储阵列中的存储单元共用一条位线。

4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述列译码电路包括第1至N个源漏串联的NMOS管；

其中，第1个NMOS管的漏极与对应存储单元的源线相连，第N个NMOS管的源极与所述第一输入端相连；

N为大于等于2的自然数。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述读取电路还包括：

电流镜电路，包括由第一NMOS管和第二NMOS管构成的电流镜，所述第一NMOS管的漏极与所述第二输入端相连，所述第二NMOS管的漏极与所述第一输入端相连，所述第二NMOS管的漏极和第一输入端的联接点为所述比较节点；

比较放大器，包括：

正端，用于接入基准电压；

负端，与所述比较节点相连，用于接入比较节点上的比较电压，所述比较电压与流入至所述比较节点上的读取电流从比较节点流出的参考电流有关；

比较输出端，用于根据所述比较电压和基准电压输出所述读取结果。

6.一种存储器的读取电路，所述存储器包括存储阵列及其列译码电路，其特征在于，所述读取电路包括：

第一输入端，通过所述列译码电路与存储单元的源线相连，用于接入目标存储单元的读取电流；

第二输入端，用于接入基准电流；

比较节点，用于比较所述读取电流和参考电流以输出读取结果，所述参考电流与所述基准电流相关。

7.如权利要求6所述的存储器的读取电路，其特征在于，还包括：

电流镜电路，包括由第一NMOS管和第二NMOS管构成的电流镜，所述第一NMOS管的漏极与所述第二输入端相连，所述第二NMOS管的漏极与所述第一输入端相连，所述第二NMOS管的漏极和第一输入端的联接点为所述比较节点；

比较放大器，包括：

正端，用于接入基准电压；

负端，与所述比较节点相连，用于接入比较节点上的比较电压，所述比较电压与流入至所述比较节点上的读取电流从比较节点流出的参考电流有关；

比较输出端，用于根据所述比较电压和基准电压输出所述读取结果。

8.一种存储器的读取方法，所述存储器为权利要求1至5任一项所述的存储器，其特征在于，包括：

通过行译码电路加载字线电压至与目标存储单元连接的字线上；

加载位线电压至与所述目标存储单元连接的位线上；

通过列译码电路选择所述目标存储单元使用的源线以在第一输入端获得读取电流；

通过所述第二输入端接入基准电流；

通过所述比较节点获得读取结果。

9.如权利要求8所述的读取方法，其特征在于，所述位线电压为0.9V～1.1V。