[发明专利]溅射沉积源、溅射沉积的设备及其组装方法

说明书

描述了一种用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源。该源包括：真空腔室的壁部分；目标，在溅射沉积期间提供待沉积的材料；RF电源，用于向目标提供RF功率；功率连接器，用于将目标与RF电源连接；以及导体棒，穿过壁部分从真空腔室内部延伸至真空腔室外部，其中导体棒被连接至真空腔室内部的一个或多个部件，并且其中导体棒被连接至真空腔室外部的RF电源以生成穿过导体棒的定义的RF返回路径。

技术领域

本发明的实施例涉及一种溅射阴极及其操作及制造方法。实施例涉及一种用于在真空腔室中沉积的设备。本发明的实施例特别涉及用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源，用于在真空腔室中溅射沉积的设备，以及组装用于在真空腔室中溅射沉积的设备的方法。

背景技术

PVD工艺在某些技术领域(例如显示器制造)中获得越来越多的关注。良好沉积速率可利用对于某些PVD工艺的足够的层特性而获得。例如，溅射为显示器制造或其他应用的一项重要沉积工艺。溅射(例如，磁控溅射)为用于涂布基板(例如，玻璃基板或塑料基板)的技术。溅射通过经由使用等离子体溅射目标来产生涂布材料流。在此工艺期间，材料通过与来自等离子体的高能颗粒碰撞而从目标的表面释放。溅射可受等离子体参数(诸如压力、功率、气体和磁场)控制。在真空中，经溅射的材料从目标朝向一个或多个基板或工件行进，并粘附至该一个或多个基板或工件的表面。包括金属、半导体及介电材料的各种材料可被溅射至期望的规格。因此，在包括半导体处理、光学涂层、食品包装、磁性记录以及防护服涂层的各种应用中，已发现磁控溅射被接受。

磁控溅射装置包括：电源，用于将能量沉积到气体中以击打和维持等离子体；磁性元件，用于控制离子的运动；以及目标，用于通过经由等离子体的溅射来产生涂布材料。利用具有不同的电配置、磁性配置以及机械配置的各种装置完成溅射。这些配置包括DC或AC电磁场或射频能量的源以产生等离子体。更明确而言，可使用RF溅射法溅射非导电材料。

RF-PVD对于多个应用(例如非导电材料的溅射)而言是受期望的。然而，RF-溅射工艺常常产生电弧及寄生等离子体。在用于RF溅射的设备和系统的组装与调试期间，已经尝试利用大量个别努力来解决这些问题。

发明内容

鉴于上述，提供一种用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源，一种用于在真空腔室中溅射沉积的设备，以及一种组装用于在真空腔室中溅射沉积的设备的方法。本发明的进一步的方面、优点以及特征从从属权利要求、说明书与附图中显而易见。

根据一个实施例，提供一种用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源。该源包括：真空腔室的壁部分；目标，在溅射沉积期间提供待沉积的材料；RF电源，用于向目标提供RF功率；功率连接器，用于将目标与RF电源连接；以及导体棒，穿过壁部分从真空腔室内部延伸至真空腔室外部，其中导体棒被连接至真空腔室内部的一个或多个部件，并且其中导体棒被连接至真空腔室外部的RF电源，以生成穿过导体棒的定义的RF返回路径。

根据另一个实施例，提供一种用于在真空腔室中溅射沉积的设备。该设备包括用于在真空腔室中溅射沉积的溅射沉积源；以及真空腔室。该源包括：真空腔室的壁部分；目标，在溅射沉积期间提供待沉积的材料；RF电源，用于向目标提供RF功率；功率连接器，用于将目标与RF电源连接；以及导体棒，穿过壁部分从真空腔室内部延伸至真空腔室外部，其中导体棒被连接至真空腔室内部的一个或多个部件，并且其中导体棒被连接至真空腔室外部的RF 电源，以生成穿过导体棒的定义的RF返回路径。

根据进一步的实施例，提供一种组装用于在真空腔室中溅射沉积的设备的方法。该方法包括：穿过设备的壁部分插入导体棒；将真空腔室内部的至少一个部件连接至导体棒；以及将导体棒连接至RF电源的返回路径。

附图说明

为了可详细理解本发明的以上详述特征的方式，可通过参照实施例对简要概述于上的本发明进行更具体的描述。附图涉及本发明的实施例并且描述如下：