[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，具有：

第1端子，被施加第1电压；

第2端子，被施加与所述第1电压不同的第2电压；

第3端子，被施加与所述第1电压和所述第2电压不同的第3电压；

第1布线，选择性地与所述第3端子电连接；

第1电路，与所述第2端子连接，接受所述第2电压作为所述第1电路的工作电压，形成输出信号；

第2电路，与所述第1端子和所述第1布线连接，通过所述第1电压与所述第1布线中的电压之间的差电压而工作，且经由信号布线接受通过所述第1电路形成的输出信号；

第1放电电路，与所述第1布线连接，对电荷进行放电；

第4端子，与所述第1端子、所述第2端子以及所述第3端子不同；以及

第2布线，选择性地连接到所述第4端子，被供给跟随施加到所述第4端子的第4电压的电压，

所述第1电路通过所述第2电压与所述第2布线中的电压之间的差电压而工作，

所述第1放电电路是如下的放电电路：具有一对端子，所述一对端子的一个端子连接到所述第1布线，所述一对端子的另一个端子连接到所述第2布线，在所述一对端子之间在双方向上对电荷进行放电。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中，

所述半导体集成电路装置具有：

开关电路，连接在所述第3端子与所述第1布线之间，选择性地将所述第3电压供给到所述第1布线；以及

钳位电路，连接在所述第3端子与所述第2端子之间。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置，其中，

所述第2电路具有并联连接在所述第1布线与所述第1端子之间的多个电路，所述多个电路中的一个电路具有MOSFET，所述信号布线连接到该MOSFET的栅极，在所述第1布线上连接有该MOSFET的一个电极。

4.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中，

所述半导体集成电路装置具有：

连接在所述第1端子与所述第4端子之间的钳位电路；以及

连接在所述第2端子与所述第3端子之间的钳位电路。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路装置，其中，

所述半导体集成电路装置具有连接在所述第3端子与所述第4端子之间的放电电路。

6.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中，

所述第2电路具有并联连接在所述第1布线与所述第1端子之间的多个电路，所述多个电路中的一个电路具有MOSFET，所述信号布线连接到该MOSFET的栅极，在所述第1布线上连接有该MOSFET的一个电极。

7.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中，

所述放电电路包含分别具有阳极和阴极的一对二极管元件，一个二极管元件的阳极连接到另一个二极管的阴极，所述一个二极管元件的阴极连接到另一个二极管的阳极。