[发明专利]多晶金刚石材料的主体在浸出期间的支撑结构

权利要求书

1.一种用于PCD元件的支撑结构，其包括支撑部和密封元件，在所述支撑部中可定位PCD元件，并且所述密封元件位于所述支撑结构中且被构造为在浸出过程期间保护PCD元件的非浸出部分，所述支撑部由聚酮基塑料材料构成或涂覆有聚酮基塑料材料。

2.根据权利要求1所述的支撑结构，其中，所述聚酮基塑料材料包括聚芳基甲酮、聚醚醚酮(PEEK)、PEK或PEEKK中的一种或多种。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的支撑结构，其中，所述密封元件包括接触带，其被构造为在浸出期间接触所述PCD元件并且防止浸出剂接触所述PCD元件的非浸出部分。

4.根据权利要求3所述的支撑结构，其中，所述接触带包括O型密封环。

5.根据前述权利要求中的任一项所述的支撑结构，其中，所述密封元件由弹性材料构成。

6.一种PCD元件浸出系统，其包括前述权利要求中的任一项所述的支撑结构和浸出容器，所述浸出容器被构造为在浸出过程期间包含所述支撑结构和PCD元件。

7.一种处理多晶金刚石(PCD)材料的主体的方法，所述PCD材料具有包括金刚石催化剂/溶剂和/或一种或多种金属碳化物的非金刚石相，所述方法包括：

在由聚酮基塑料材料形成或涂覆有聚酮基塑料材料的支撑部中定位待处理的PCD材料的主体；

在PCD材料的主体和所述支撑部之间形成密封罩，以将待处理的PCD材料的主体的区域与非待处理的区域隔开；

将所述PCD材料的主体和支撑部插入到浸出容器中，所述浸出容器包含一些浸出混合物；以及

通过使至少一部分PCD材料暴露到所述浸出混合物，从而将一些金刚石催化剂/溶剂和/或一种或多种金属碳化物从所述PCD材料中浸出。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述浸出混合物包括用水稀释的硝酸和一种或多种另外的无机酸，所述硝酸包括约2-5重量％之间的硝酸和水混合物。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述一种或多种另外的无机酸包括盐酸、硫酸、磷酸和氢氟酸中的一种或多种。

10.根据权利要求8或9中任一项所述的方法，其中，所述浸出混合物包括高达约7M摩尔浓度的所述一种或多种另外的无机酸。

11.根据权利要求8-10中任一项所述的方法，其中，所述浸出混合物包括约7M摩尔浓度的所述一种或多种另外的无机酸。

12.根据权利要求8-11中任一项所述的方法，其中，所述浸出混合物包括高达约1.3M摩尔浓度的硝酸。

13.根据权利要求8-12中任一项所述的方法，其中，所述浸出混合物包括约0.2M到约1.2M之间的摩尔浓度的硝酸。

14.根据权利要求8-13中任一项所述的方法，其进一步包括在使所述PCD材料暴露到所述浸出混合物的步骤期间，加热所述浸出混合物至等于或大于所述浸出混合物的沸腾温度的温度。

15.根据权利要求8-14中任一项所述的方法，其中，所述溶剂/催化剂包括以下的至少一种：

钴；

镍；

铁。

16.根据权利要求8-15中任一项所述的方法，其中，所述浸出步骤包括从所述PCD材料中浸出钨、钛、铌、钽、锆、钼、铬或钒的碳化物中的一种或多种。

17.一种处理多晶金刚石(PCD)材料的方法，所述PCD材料具有包括金刚石催化剂/溶剂和/或一种或多种金属碳化物的非金刚石相，所述方法基本上如上文参照附图示出的实施例的任意一个实施例所描述的。

18.一种用于PCD元件的支撑结构，其基本上如上文参照附图示出的实施例的任意一个实施例所描述的。