[发明专利]具有气体供应的沉积装置及沉积材料的方法

说明书

技术领域

本发明的实施例是有关于一种沉积装置以及用于沉积材料的方法。本发明的实施例是特别有关于一种具有真空腔室与气体入口的沉积装置，以及用以在真空腔室中沉积材料的方法。

背景技术

目前已经知道一些用以沉积材料于基板(substrate)上的方法。例如，可以通过如溅镀工艺(sputterprocess)的物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)工艺来涂布(coat)基板。通常，工艺是在欲涂布的基板所放置或被导引通过的处理装置(processapparatus)或处理腔室(processchamber)中进行。欲沉积于基板上的沉积材料是提供于装置中。可以使用多种材料沉积于基板上，这些材料中可以使用陶瓷(ceramics)。

可以在一些应用(application)中和一些技术领域中使用涂布的材料。例如是在如产生半导体装置(semiconductordevice)的微电子学(microelectronics)的领域之中的应用。并且，用于显示的基板通常是通过物理气相沉积工艺来涂布。更进一步的应用可以包括绝缘面板(insulatingpanel)、有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)面板，以及硬盘(harddisk)、光盘(CD)、数字化视频光盘(DVD)，或类似物。

欲涂布的基板是配置于沉积腔室中或被导引通过沉积腔室，以进行涂布工艺。在进行溅镀沉积工艺(sputterdepositionprocess)时，沉积腔室提供靶材(target)，所述靶材配置有欲沉积于基板上的材料。靶材材料是通过在真空腔室(vacuumchamber)中产生的等离子体从靶材释出。释出的粒子沉积于基板上并形成所需的材料层。

然而，在一些应用中，另外的材料是出现于沉积腔室中。例如，在进行反应性溅镀工艺的情况下，靶材可能被呈现于溅镀空气(sputteringatmosphere)中的反应性气体所损害。由于此种损害是难以控制的，此种影响可能导致如电弧作用(arcing)或低沉积速率的工艺不稳定(processinstability)。并且，此种损害可能导致沉积的薄膜具有较差的特性。

此外，在用于不同材料的接续的薄膜沉积的线内沉积系统(in-linedepositionsystem)中，在邻近的沉积腔室之间的剩余的反应性气体(surplusreactivegas)的交互作用可能会产生工艺恶化的效果(processdeterioratingeffect)，并可能意味着在处理腔室之间需要额外的、成本密集的(cost-intensive)气体分离的作法。

鉴于上述，本发明的目的是提供沉积装置以及用以沉积材料于基板上的方法，以克服本技术中的至少一些问题。

发明内容

鉴于上述，是根据独立权利要求提供用以沉积材料于基板上的装置与用以沉积材料于基板上的方法。更进一步，本发明的从属权利要求、说明书及所附图式是清楚呈现本发明的其他方面、优点及特征。

根据一实施例，是提供一种用以在基板上沉积材料的装置。所述装置包括真空腔室；基板接收部，基板接收部位于真空腔室中，用以在沉积材料的期间内接收基板；靶材支撑件，靶材支撑件用以在沉积材料于基板上的期间内固持一靶材；等离子体产生装置，等离子体产生装置位于真空腔室中，用以于基板接收部与靶材支撑件之间产生等离子体；以及第一气体入口，第一气体入口用以提供气体超音速流，其中第一气体入口是导向基板接收部。

根据另一实施例，是提供一种在真空腔室中沉积材料于基板上的方法。所述方法包括在基板与靶材之间形成等离子体、利用等离子体从靶材释出粒子，以及导引第一气体的超音速流朝向基板的表面，所述材料将被沉积于基板的表面上。

根据另一实施例，是提供一种在真空腔室中沉积材料于基板上的方法。所述方法包括在基板与靶材之间形成等离子体、利用等离子体从靶材释出粒子，以及导引反应性气体的超音速流流入真空腔室。可以通过将从属权利要求与说明书中的实施例结合来提供进一步的实施例。

实施例还针对用于实行所揭示的方法的装置，并包括用以执行各个所述方法的步骤的装置组件。这些方法的步骤可以通过硬件组件、通过合适的软件程式化的计算机，或通过上述两者的任意结合或以任何的其他方式来进行。再者，根据本发明的实施例还针对通过所述的装置的操作方法，包括用以执行装置的每一个功能的方法的步骤。

附图说明