[发明专利]发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及发光装置。

背景技术

将发出一次光的发光元件和吸收该一次光而发出二次光的波长转换部进行组合而得到的发光装置，作为低耗电化、小型化和高亮度且能够实现广范围的色再现性的发光装置，在近年急速地得到普及，为了进一步提高性能，正在被进行活跃的研究开发。

此处，从发光元件发出的一次光，通常使用长波长的紫外线～蓝色光的范围的光。此外，波长转换部使用与发光装置的用途相适应的各种荧光体，例如经常使用氧化物的荧光体。

在这样的状况下，近年来提出了由从使用GaN等氮化物半导体的半导体发光元件发出的激励光激励的氮化物荧光体，即氧氮化物荧光体。氧氮化物荧光体与现有的荧光体相比，热和化学的性质稳定，且对近紫外区域至可见区域的波长的光具有强吸收性能。

在专利文献1中公开了在氧氮化物荧光体中，特别是β型赛隆荧光体具有在波长500nm～550nm的范围的波长出现峰值的尖锐的发光光谱形状，CIE座标上的(x，y)的值取0≤x≤0.3、0.6≤y≤0.83的范围的值。此外，在专利文献1中记载有β型赛隆荧光体用于照明器具和图像显示装置的情况。

此外，在专利文献2中记载有通过令Eu活化β型赛隆荧光体的一次颗粒的50％面积平均直径为5μm以上，提高Eu活化β型赛隆荧光体的发光强度，从而提高使用了该Eu活化β型赛隆荧光体的发光装置的发光强度的技术。

现有技术文献

专利技术

专利文献1：日本特开2005-255895号公报

专利文献2：国际公开第2012/011444号

非专利文献

非专利文献1：W.J.Wiscombe，“Improved Mie scattering algorithms”，Applied Optics，Vol.19，page 1505，May 1，1980

发明内容

发明所要解决的技术问题

但是，本发明的发明人对Eu活化β型赛隆荧光体的发光强度与使用了该Eu活化β型赛隆荧光体的发光装置的发光效率的关系进行了研究，发现了以下新的问题：即使为了提高Eu活化β型赛隆荧光体的发光强度而将Eu活化β型赛隆荧光体的一次颗粒的50％面积平均直径变大，因为在分散于透明部件的状态下Eu活化β型赛隆荧光体吸收激励光的效率下降，所以在Eu活化β型赛隆荧光体自身的发光强度高的情况下，设置有该荧光体的发光装置的发光效率也不会提高。

鉴于上述的情况，本发明的目的在于提高使用了一次颗粒的50％面积平均直径大的Eu活化β型赛隆荧光体的发光装置的发光效率。

解决技术问题的手段

本发明是一种发光装置，其包括：透明部件；和设置在透明部件中的激励光源、Eu活化β型赛隆荧光体和散射部件，Eu活化β型赛隆荧光体的一次颗粒的50％面积平均直径为10μm以上，散射部件的从激励光源发出的激励光的峰值波长的散射概率为0.1mm^-1以上0.5mm^-1以下，Eu活化β型赛隆荧光体与散射部件一起以分散的状态被封入透明部件中。通过构成为这样的结构，即使在使用一次颗粒的50％面积平均直径为10μm以上的大粒径的Eu活化β型赛隆荧光体的情况下，也能够提高发光装置的发光效率。

发明的效果

根据本发明，能够提高使用了一次颗粒的50％面积平均直径大的Eu活化β型赛隆荧光体的发光装置的发光效率。

附图说明

图1是实施方式的发光装置的示意性截面图。

图2是计算Eu活化β型赛隆荧光体的一次颗粒的50％平均面积AS所使用的图表的一个例子。

图3是制造例1的Eu活化β型赛隆荧光体粉末的发光光谱。

图4是制造例1的Eu活化β型赛隆荧光体粉末的激励光谱。

图5是制造例1的波长转换部的发光光谱。

图6是制造例2的波长转换部的发光光谱。

图7是制造例3的波长转换部的发光光谱。

图8是平均粒径为2μm的Y₂O₃颗粒的粒度分布。

图9是平均粒径为3.9μm的Y₂O₃颗粒的粒度分布。

图10是平均粒径为9μm的Y₂O₃颗粒的粒度分布。

图11是示出实施例1～3和比较例2～5的发光装置的散射部件的散射概率与发光装置的光束的相对值的关系的图。