[发明专利]带透明电极的基板及其制造方法

权利要求书

1.一种带透明电极的基板，在透明薄膜基板上具备非晶透明电极层，

所述带透明电极的基板的特征在于，

所述非晶透明电极层由氧化锡含量大于8质量％且小于16质量％的非晶铟-锡复合氧化物构成，并且在施加了0.1V的偏压的情况下，具有50个/μm²以上的在加电压面的电流值为50nA以上且连续的面积为100nm²以上的区域。

2.根据权利要求1所述的带透明电极的基板，其特征在于，

所述非晶透明电极层在以150℃进行加热的情况下，结晶化所需要的时间为30分钟以下。

3.根据权利要求1或2所述的带透明电极的基板，其特征在于，

所述非晶透明电极层的用于结晶化的活化能为1.3eV以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的带透明电极的基板，其特征在于，

所述非晶透明电极层被以150℃加热处理30分钟后的电阻率为1.5×10^-4～3.0×10^-4Ωcm。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的带透明电极的基板，其特征在于，

所述非晶透明电极层的膜厚为10nm～35nm。

6.一种带透明电极的基板，在透明薄膜基板上具备非晶透明电极层，

所述带透明电极的基板的特征在于，

所述非晶透明电极层的膜厚为10nm～35nm，

由氧化锡含量为大于8质量％且小于16质量％的非晶铟-锡复合氧化物构成，并且，

用于结晶化的活化能为1.3eV以下。

7.一种带透明电极的基板的制造方法，用于制造权利要求1～6中任一项所述的带透明电极的基板，

所述带透明电极的基板的制造方法的特征在于，

具有透明电极层制膜工序，在所述透明电极层制膜工序中，在透明薄膜基板上通过溅射法制膜形成由非晶铟-锡复合氧化物构成的透明电极层，

在所述透明导电层制膜工序中，使用氧化锡含量大于8质量％且小于16质量％的氧化铟与氧化锡的复合氧化物靶材，制膜时的电源功率密度为2.0W/cm²以上。

8.一种带透明电极的基板的制造方法，用于制造权利要求1～6中任一项所述的带透明电极的基板，

所述带透明电极的基板的制造方法的特征在于，

具有透明电极层制膜工序，在所述透明电极层制膜工序中，在透明薄膜基板上通过溅射法制膜形成由非晶铟-锡复合氧化物构成的透明电极层，

在所述透明导电层制膜工序中，使用氧化锡含量大于8质量％且小于16质量％的氧化铟与氧化锡的复合氧化物靶材，在透明电极层制膜开始前，以2.0W/cm²以上的电源功率密度进行预溅射。

9.根据权利要求8所述的带透明电极的基板的制造方法，其特征在于，

所述预溅射时的电源功率密度为透明电极层制膜时的电源功率密度以上。

10.根据权利要求8或9所述的带透明电极的基板的制造方法，其特征在于，

透明电极层制膜时的电源功率密度为2.0W/cm²以上。

11.根据权利要求7～10中任一项所述的带透明电极的基板的制造方法，其特征在于，

在进行真空排气直至腔室内的水分压为2×10^-4Pa～1×10^-3Pa之后，进行所述透明电极层制膜工序。

12.根据权利要求7～11中任一项所述的带透明电极的基板的制造方法，其特征在于，

透明电极层制膜时的腔室内的水分压为3×10^-4Pa～3×10^-3Pa。

13.一种带透明电极的基板的制造方法，用于制造在透明薄膜基板上具备电阻率为1.5×10^-4～3.0×10^-4Ωcm的结晶质透明电极层的带透明电极的基板，

所述带透明电极的基板的制造方法的特征在于，

通过加热权利要求1～6中任一项所述的带透明电极的基板，将所述非晶透明电极层结晶化。