[发明专利]包括中间层的物品以及形成的方法

权利要求书

1.一种用于数据存储的物品，包括：

磁结构，所述磁结构包括磁性换能器；

中间层，所述中间层被置于所述磁结构上，所述中间层具有从约到约的厚度，所述中间层包括：

底部界面层，所述底部界面层毗邻所述磁结构而定位，所述底部界面层包括接合至所述磁结构的原子、化合物或两者的金属的原子；

夹层，所述夹层被置于所述底部界面层上，所述夹层包括所述金属的氧化物；以及

顶部界面层，所述顶部界面层毗邻所述夹层而定位，所述顶部界面层包括接合至相邻的覆盖层的原子或化合物的所述金属的原子、所述金属的氧化物或其某种组合；以及

覆盖层，所述覆盖层被置于所述中间层的所述顶部界面层上。

2.如权利要求1所述的物品，其特征在于，所述磁性换能器包括磁性读取器和磁性写入器，并且所述夹层被置于所述磁性换能器的所述磁性读取器、所述磁性写入器或两者之上。

3.如权利要求2所述的物品，其特征在于，所述磁性换能器的原子或化合物包括FeCo、NiFe、Cr、AlO_x、TaO_x、SiO_x、Au或其某种组合。

4.如权利要求1所述的物品，其特征在于，所述中间层是非导电的。

5.如权利要求4所述的物品，其特征在于，所述中间层的所述底部界面层具有致使所述底部界面层非导电的厚度。

6.如权利要求5所述的物品，其特征在于，所述底部界面层具有从约所述金属的原子的单层到约的厚度。

7.如权利要求1所述的物品，其特征在于，所述中间层中的所述金属是从铬、铝或其组合中选择的。

8.如权利要求1所述的物品，其特征在于，所述中间层中的所述金属是铬。

9.如权利要求1所述的物品，其特征在于，所述中间层具有约到约的厚度。

10.一种形成用于数据存储的物品的方法，所述方法包括下列步骤：

获得磁结构，所述磁结构包括磁性换能器；

在所述磁结构的至少一部分上形成金属层，所述金属层具有从约单层到约的厚度；

氧化所述金属层的至少一部分；以及

形成覆盖层。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，在氧化所述金属层的所述部分之前在所述金属层上形成所述覆盖层。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述金属层的所述部分是由通过所述覆盖层扩散的氧、存在于下面的层中的氧或其某种组合而进行氧化的。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述金属层是铬。

14.如权利要求10所述的方法，其特征在于，在氧化所述金属层的所述部分之后形成所述覆盖层。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，重复形成金属层并氧化所述金属层的步骤至少两次。

16.如权利要求14所述的方法，其特征在于，通过在含氧的环境室温条件中的被动氧化、通过在含氧的高温条件中的退火、通过暴露于热化的氧原子束或氧离子束、或其组合来氧化所述金属层的所述部分。

17.一种形成用于数据存储的物品的方法，所述方法包括下列步骤：

获得磁结构，所述磁结构包括磁性换能器；

在所述磁结构上形成金属层；以及

通过形成金属原子、氧化所述金属原子并在所述金属层上沉积所述经氧化的金属原子以形成金属氧化物层来在所述金属层上形成金属氧化物层。