[发明专利]存储装置和存储装置制造方法

权利要求书

1.一种存储装置，其包括多个存储元件，各所述存储元件包括电极和存储层，所述存储层由包括离子源层的多个层构成，其中

所述离子源层沿第一方向延伸，且被沿所述第一方向布置着的所述多个存储元件共用，

所述电极沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，且被沿所述第二方向布置着的所述多个存储元件共用，并且

所述离子源层具有还作为相对于所述电极的相对电极的功能。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中

所述多个层中的至少一个剩余层被设置于所述电极与所述离子源层之间。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其中

所述至少一个剩余层是可变电阻层。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其还包括基板，

其中所述电极沿平行于所述基板的方向延伸。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其还包括基板，

其中所述电极沿垂直于所述基板的方向延伸。

6.根据权利要求3所述的存储装置，其中

所述离子源层与所述电极彼此垂直地交叉。

7.根据权利要求3所述的存储装置，其中

所述离子源层被设置为多个，所述电极被设置为多个，并且

所述多个存储元件分别被设置于所述多个离子源层与所述多个电极的交叉处。

8.根据权利要求3所述的存储装置，其中

所述离子源层被在第三方向上彼此相邻的所述多个存储元件共用，所述第三方向既垂直于所述第一方向也垂直于所述第二方向。

9.根据权利要求3所述的存储装置，其中

所述离子源层包括第一表面和第二表面，所述第一表面与所述可变电阻层接触，且所述第二表面与所述第一表面相背，并且

背电极层被设置成与所述第二表面接触。

10.根据权利要求3所述的存储装置，其中

所述离子源层包括：选自S、Se、Te中的至少一种硫族元素；氧；以及至少一种过渡金属元素，并且

所述至少一种过渡金属元素是选自：第4族钛族中的Ti、Zr、Hf；第5族钒族中的V、Nb、Ta；和第6族铬族中的Cr、Mo、W。

11.根据权利要求3所述的存储装置，其中

所述可变电阻层由金属元素的氧化物膜、金属元素的氮化物膜、或金属元素的氧氮化物膜构成。

12.根据权利要求10所述的存储装置，其中

向所述电极和所述离子源层施加电压能够使得在所述可变电阻层中形成包括所述过渡金属元素的低电阻部分或包括氧缺陷的低电阻部分，由此引起电阻值的变化。

13.根据权利要求3和6至12中任一项所述的存储装置，其中

所述可变电阻层具有单层或堆叠层的结构，所述结构由包括具有非线性特性的金属元素或半金属元素的氧化物或氮化物构成。

14.根据权利要求3和6至12中任一项所述的存储装置，其中

所述可变电阻层包括硫族元素，且由双向阈值开关构成。

15.根据权利要求3和6至12中任一项所述的存储装置，其中

所述可变电阻层与非线性元件串联连接。