[发明专利]用于测试信号生成的可重配置的接收机电路在审
| 申请号: | 201380064099.5 | 申请日: | 2013-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN104885388A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
| 发明(设计)人: | L·K·梁;C·纳拉斯隆;J·胡;Y·冯 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分类号: | H04B17/21 | 分类号: | H04B17/21;H04B1/16;H04B17/29 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 周敏 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 测试 信号 生成 配置 接收机 电路 | ||
1.一种装置,包括:
混频器,其由第一多个晶体管和第二多个晶体管形成并且能配置成在第一模式中基于本地振荡器(LO)信号将输入射频(RF)信号下变频;以及
放大器,其由所述第一多个晶体管和第三多个晶体管形成并且能配置成在第二模式中放大所述LO信号并提供经放大LO信号。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述LO信号包括非反相LO(LOp)信号和反相LO(LOn)信号,所述第一多个晶体管包括第一晶体管和第二晶体管,所述第二多个晶体管包括第三晶体管和第四晶体管,所述第一晶体管和第三晶体管具有耦合在一起的源极并且能配置成在所述第一模式中接收所述LOp和LOn信号,并且所述第二晶体管和第四晶体管具有耦合在一起的源极并且能配置成在所述第一模式中接收所述LOp和LOn信号。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述第三多个晶体管包括:
第五晶体管,其耦合在所述第一晶体管与电源电压之间;以及
第六晶体管,其耦合在所述第二晶体管与电路接地之间。
4.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述第一晶体管和第二晶体管中的一个晶体管能配置成接收固定偏置电压,并且所述第一晶体管和第二晶体管中的另一个晶体管能配置成接收可变偏置电压。
5.如权利要求3所述的装置,其特征在于,进一步包括:
变压器,其包括初级线圈和次级线圈,所述次级线圈具有耦合至所述第一晶体管和第三晶体管的源极的第一端子以及耦合至所述第二晶体管和第四晶体管的源极的第二端子,所述次级线圈在所述第一模式中将所述输入RF信号提供给所述混频器并且在所述第二模式中提供来自所述放大器的所述经放大LO信号。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述混频器用于第一接收机并且能配置成在所述第二模式中将所述经放大LO信号作为测试信号提供给第二接收机中的第二混频器。
7.一种方法,包括:
在第一模式中用混频器基于本地振荡器(LO)信号将输入射频(RF)信号下变频以获得经下变频信号,所述混频器由第一多个晶体管和第二多个晶体管形成;以及
在第二模式中用放大器放大所述LO信号以获得经放大LO信号,所述放大器由所述第一多个晶体管和第三多个晶体管形成。
8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,进一步包括:
向所述放大器的至少一个晶体管施加至少一个可变偏置电压以调整所述放大器的直流(DC)偏置。
9.一种设备,包括:
用于在第一模式中基于本地振荡器(LO)信号将输入射频(RF)信号下变频以获得经下变频信号的装置;以及
用于在第二模式中放大所述LO信号以获得经放大LO信号的装置,所述用于放大的装置包括所述用于下变频的装置的一部分。
10.如权利要求9所述的设备,其特征在于,进一步包括:
用于向所述用于放大的装置施加至少一个可变偏置电压以调整所述用于放大的装置的直流(DC)偏置的装置。
11.一种设备,包括:
放大器,其由第一多个晶体管形成并且能配置成在第一模式中接收和放大输入射频(RF)信号;以及
衰减器,其由第二多个晶体管形成并且能配置成在第二模式中接收和传递本地振荡器(LO)信号,所述第二多个晶体管包括所述第一多个晶体管中的至少一个晶体管以及至少一个附加晶体管。
12.如权利要求11所述的设备,其特征在于,所述放大器的所述第一多个晶体管包括:
增益晶体管,其能配置成在所述第一模式中放大所述输入RF信号并提供经放大RF信号;以及
共源共栅晶体管,其耦合至所述增益晶体管并且能配置成在所述第一模式中传递所述经放大RF信号且在所述第二模式中传递所述LO信号。
13.如权利要求12所述的设备,其特征在于,进一步包括:
接口电路,其耦合至所述放大器并且能配置成在所述第二模式中接收所述LO信号。
14.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述衰减器的所述至少一个附加晶体管包括:
第二共源共栅晶体管,其耦合至所述增益晶体管并且能配置成在所述第二模式中传递所述LO信号。
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