[发明专利]具有多层部分包埋颗粒形态的改进的固定阵列各向异性导电膜及其制造方法

权利要求书

1.一种各向异性导电膜(ACF)，它包括：(a)具有基本上均匀厚度的粘合剂层；和(b)单独地粘附到粘合剂层上的多个导电颗粒，其中该导电颗粒包括在粘合剂层内在第一深度处部分包埋的颗粒的第一非-随机的固定阵列，和在第二深度处部分包埋的导电颗粒的第二固定的非-随机阵列，或者充分包埋在粘合剂层内的导电颗粒的分散体，其中第一和第二深度完全不同。

2.权利要求1的ACF，其中ACF包括在粘合剂层内在第一深度处部分包埋的颗粒的第一非-随机阵列，和在第二深度处部分包埋的导电颗粒的第二非-随机阵列，且在第一阵列与第二阵列中约0-80％的颗粒直径在粘合剂层的表面之上，条件是第一和第二阵列的深度完全不同。

3.权利要求1的ACF，其中基于颗粒的直径，在第一或第二阵列内至少约10％的部分包埋的导电颗粒暴露在粘合剂层表面之上。

4.权利要求3的ACF，其中至少约30％的部分包埋的颗粒暴露在粘合剂层的表面之上。

5.权利要求2的ACF，其中导电颗粒的第一阵列被包埋约40-90％，导电颗粒的第二阵列被包埋约10-60％，条件是第一和第二阵列的深度完全不同。

6.权利要求1的ACF，其中ACF包括在粘合剂层内部分包埋的导电颗粒的第一非-随机阵列，和在粘合剂层内作为分散体形式充分包埋的导电颗粒的分散体，且在第一阵列内约0-80％导电颗粒的直径在粘合剂层的表面之上。

7.权利要求6的ACF，其中通过将颗粒的第一固定阵列转移到ACF内的粘合剂层的表面上，在所述ACF内，导电颗粒随机分散且充分包埋在导电粘合剂层内，从而获得ACF。

8.权利要求6的ACF，其中ACF进一步包括在含导电颗粒的分散体的粘合剂层下方的独立的非导电粘合剂层。

9.权利要求1的ACF，其中粘合剂层具有正交的X和Y方向，在固定的非-随机阵列内的颗粒在X和/或Y方向上的间距为约3-30μm。

10.权利要求9的ACF，其中在X和/或Y方向上的间距为约4-12μm的阵列内排列颗粒的位置。

11.权利要求1的ACF，其中粘合剂层的厚度为约5-35μm。

12.权利要求11的ACF，其中粘合剂层的厚度为约10-20μm。

13.一种各向异性导电膜(ACF)，它包括：(a)具有基本上均匀厚度的粘合剂层；和(b)单独地粘附到粘合剂层上的多个导电颗粒，其中该导电颗粒包括在粘合剂层内在第一深度处部分包埋的颗粒的第一非-随机阵列，和在粘合剂层内在第二深度处部分包埋的导电颗粒的第二非-随机阵列，其中第一深度和第二深度完全不同。

14.权利要求13的ACF，其中第一阵列和第二阵列的深度差值为颗粒直径的至少约20％。

15.权利要求14的ACF，其中第一阵列和第二阵列的深度差值为颗粒直径的至少约30％。

16.权利要求14的ACF，其中基于第一和第二阵列中颗粒的直径，至少约10％部分包埋的导电颗粒暴露于粘合剂层的表面之上。

17.权利要求16的ACF，其中至少约30％形成第一阵列的部分包埋的颗粒暴露于粘合剂层的表面之上。

18.一种电子或显示器件或组件，它包括权利要求1的已固化或未固化的ACF。

19.权利要求18的ACF，其中电子器件是集成电路或印刷电路。

20.制造多层ACF的方法，该方法包括下述步骤：

(a)将颗粒的第一固定阵列转移到粘合剂层上；

(b)加工第一阵列到所需的部分包埋程度；

(c)转移颗粒的第二固定阵列到粘合剂上；和

(d)任选地挤压颗粒的这两个阵列到所需的部分包埋程度，使得第一阵列在粘合剂内的包埋程度大于第二阵列。

21.制造多层ACF的方法，该方法包括下述步骤：

(a)将颗粒的第一固定的非-随机阵列转移到含有导电颗粒的ACF的粘合剂层中；和

(b)加工第一阵列到所需的部分包埋程度。

22.权利要求1的ACF，它为连续的膜或卷的形式。

23.权利要求22的ACF，其中第一阵列和第二阵列位于连续的膜或卷的限定区域内。