[发明专利]半导体发光元件用基板及半导体发光元件以及该等之制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件用基板的制造方法，其特征在于包括：

粒子排列步骤，以由下述式(1)定义的排列的偏差D(％)成为15％以下的方式，使多个粒子以单层排列在基板上；

粒子蚀刻步骤，以所述粒子被蚀刻且所述基板实质上未被蚀刻的条件，对排列的所述多个粒子进行干式蚀刻而在粒子间设置间隙；以及

基板蚀刻步骤，将所述粒子蚀刻步骤后的多个粒子作为蚀刻掩膜，对所述基板进行干式蚀刻，而在所述基板的一面形成凹凸构造；

D(％)＝|B－A|×100/A···(1)

其中，式(1)中，A为粒子的平均粒径，B为粒子间的众数间距，此外，|B－A|是表示A与B的差的绝对值；

所述粒子排列步骤包括：滴加步骤，对水槽内的水的液面滴加使粒子分散在比重小于水的溶剂中而成的分散液；单粒子膜形成步骤，通过使所述溶剂挥发而在水的液面上形成包含所述粒子的单粒子膜；以及移行步骤，将所述单粒子膜移取至基板；

所述基板为蓝宝石，

所述粒子为二氧化硅，

所述粒子蚀刻步骤是使用选自由CF₄、SF₆、CHF₃、C₂F₆、C₃F₈、CH₂F₂、O₂、及NF₃所组成的群中的至少1种气体作为蚀刻气体的步骤，

所述基板蚀刻步骤是使用选自由Cl₂、Br₂、BCl₃、SiCl₄、HBr、HI、HCl、及Ar所组成的群中的至少1种气体作为蚀刻气体的步骤。

2.根据权利要求1所述的半导体发光元件用基板的制造方法，其特征在于：所述粒子间的众数间距为5μm以下。

3.根据权利要求1所述的半导体发光元件用基板的制造方法，其特征在于：所述粒子间的众数间距为1μm以下。

4.根据权利要求1所述的半导体发光元件用基板的制造方法，其特征在于：所述粒子间的众数间距为200nm～700nm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光元件用基板的制造方法，其特征在于：所述基板的由ASTM F657规定的最大厚度及最小厚度之间的绝对差(TTV)为5μm～30μm、由ASTM F1390规定的自基准面的偏移的最大值与最小值的差(WARP)为10μm～50μm、由ASTMF534.3.1.2规定的自基板的中心部的基准面的间隔的绝对值(|BOW|)为10μm～50μm。

6.一种半导体发光元件的制造方法，其包括如下步骤：通过根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法而获得发光元件用基板；以及在所获得的发光元件用基板的形成有凹凸构造的面，积层至少包含发光层的半导体功能层。

7.一种半导体发光元件的制造方法，其包括如下步骤：通过根据权利要求5所述的制造方法而获得发光元件用基板；以及在所获得的发光元件用基板的形成有凹凸构造的面，积层至少包含发光层的半导体功能层。