[发明专利]光子计数X射线探测器有效

专利信息
申请号: 201380043287.X 申请日: 2013-07-15
公开(公告)号: CN104583806B 公开(公告)日: 2018-08-10
发明(设计)人: E·勒斯尔;H·德尔;R·斯特德曼布克 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: G01T1/17 分类号: G01T1/17
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 李光颖;王英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 光子 计数 射线 探测器
【权利要求书】:

1.一种X射线探测器(100、200),包括:

-至少一个传感器单元(105、205),其用于将入射X射线光子(X)转换成电传感器信号(s),

其中,所述传感器单元(105、205)包括转换材料(101、201),所述转换材料用于将入射X射线光子(X)转换成电荷信号(q),

并且其中,至少一个电极(102、202)被耦合到所述转换材料(101、201)以用于感测所述电荷信号(q);

-至少一个通量传感器(104、204),其用于生成与入射X射线光子(X)的通量相关的通量信号(f);

-数据处理系统,其用于基于所述通量信号(f)来校正所述传感器信号(s),其中,所述数据处理系统包括处理电路,所述处理电路被定位邻近所述传感器单元(105、205)并被结合到所述电极以用于收集并处理所述传感器单元的传感器信号(s);

其中,所述通量传感器(104、204)被集成到所述处理电路中或者关于X射线入射的主方向被放置在所述处理电路的后面。

2.根据权利要求1所述的X射线探测器(100、200),

其特征在于,所述传感器单元(105、205)和所述通量传感器(104、204)关于所述X射线入射的主方向(-z)被对齐。

3.根据权利要求1所述的X射线探测器(100、200),

其特征在于,所述转换材料(101、201)包括从包括CdTe、CZT、Si、Ge、Se、GaAs和PbO的组中选择的材料。

4.根据权利要求1所述的X射线探测器(100、200),

其特征在于,所述处理电路包括集成电路。

5.根据权利要求1所述的X射线探测器(100、200),

其特征在于,所述通量传感器(104、204)包括从包括PIN二极管、GaAs二极管和Si-PM阵列的组中选择的元件。

6.根据权利要求1所述的X射线探测器(200),

其特征在于,所述通量传感器(204)包括闪烁材料(206)。

7.根据权利要求1所述的X射线探测器(100、200),

其特征在于,所述数据处理系统适于对由单个X射线光子(X)生成的传感器信号(s)的脉冲进行计数。

8.根据权利要求7所述的X射线探测器(100、200),

其特征在于,以谱分辨的方式对所述脉冲进行计数。

9.根据权利要求1所述的X射线探测器(100、200),

其特征在于,所述传感器信号(s)和对应的通量信号(f)的校准数据被用于使所述传感器单元的输出线性化。

10.一种X射线成像系统,包括:

-X射线源;

-根据权利要求1所述的X射线探测器(100、200)。

11.根据权利要求10所述的X射线成像系统,其中,所述X射线成像系统是谱分辨的光子计数CT系统。

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