[发明专利]晶圆级发光二极管阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管阵列，所述发光二极管阵列包括：

生长基板；

多个发光二极管，布置在基板上，所述多个发光二极管中的每个发光二极管具有第一半导体层、有源层和第二半导体层；以及

多个上电极，布置在所述多个发光二极管上并且由相同的材料形成，所述多个上电极中的每个上电极电连接到发光二极管中的相应的发光二极管的第一半导体层，

其中，至少一个上电极电连接到发光二极管中的相邻的一个发光二极管的第二半导体层，上电极中的另一上电极与发光二极管中的相邻的一个发光二极管的第二半导体层绝缘。

2.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，上电极包括与第一半导体层欧姆接触的欧姆接触层。

3.如权利要求2所述的发光二极管阵列，其中，欧姆接触层包括从Cr、Ni、Ti、Rh和Al组成的组中选择的任意一种金属材料。

4.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，欧姆接触层包括ITO。

5.如权利要求2所述的发光二极管阵列，其中，上电极包括位于欧姆接触层上的反射导电层。

6.如权利要求1所述的发光二极管阵列，所述发光二极管阵列还包括布置在发光二极管与上电极之间的第一层间绝缘层，

其中，上电极通过第一层间绝缘层与发光二极管的侧表面绝缘。

7.如权利要求6所述的发光二极管阵列，所述发光二极管阵列还包括分别布置在发光二极管的第二半导体层上的下电极，

其中，第一层间绝缘层在每个发光二极管上暴露下电极的一部分，

其中，电连接到相邻的发光二极管的第二半导体层的上电极连接到下电极的通过第一层间绝缘层暴露的部分。

8.如权利要求7所述的发光二极管阵列，其中，每个下电极包括反射层。

9.如权利要求7所述的发光二极管阵列，所述发光二极管阵列还包括覆盖上电极的第二层间绝缘层，

其中，第二层间绝缘层暴露一个下电极和与相邻的发光二极管的第二半导体层绝缘的上电极。

10.如权利要求9所述的发光二极管阵列，其中，发光二极管通过上电极串联连接，

其中，第二层间绝缘层暴露与在串联连接的发光二极管的两端处的发光二极管对应的下电极和上电极。

11.如权利要求9所述的发光二极管阵列，所述发光二极管阵列还包括位于第二层间绝缘层上的第一焊盘和第二焊盘，

其中，第一焊盘连接到通过第二层间绝缘层暴露的下电极，第二焊盘连接到通过第二层间绝缘层暴露的上电极。

12.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，每个发光二极管具有贯穿第二半导体层和有源层以使第一半导体层暴露的通孔，

其中，每个上电极经由通孔连接到发光二极管中的相应的发光二极管的第一半导体层。

13.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，上电极占据发光二极管阵列的整个面积的至少30％且小于100％的面积。

14.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，每个上电极为具有幅宽与宽度的比在1:3至3:1的范围内的板或片的形式。

15.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，至少一个上电极具有比发光二极管中的相应的发光二极管的幅宽或宽度大的幅宽或宽度。

16.如权利要求1所述的发光二极管阵列，其中，上电极包括反射导电层。

17.如权利要求16所述的发光二极管阵列，所述发光二极管阵列还包括布置在发光二极管与上电极之间的第一层间绝缘层，

其中，上电极通过第一层间绝缘层与发光二极管的侧表面绝缘。

18.如权利要求17所述的发光二极管阵列，其中，第一层间绝缘层和上电极构成全方位反射器。

19.如权利要求17所述的发光二极管阵列，其中，第一层间绝缘层包括分布式布拉格反射器。