[发明专利]纳米线官能化、分散和附着方法有效
| 申请号: | 201380030869.4 | 申请日: | 2013-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN104380469B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
| 发明(设计)人: | T.M.贾汀;M.哈夫曼;L.G.S.乌尔文隆德;J.E.博里斯特伦;U.纳西姆 | 申请(专利权)人: | 索尔伏打电流公司 |
| 主分类号: | H01L29/66 | 分类号: | H01L29/66;B82Y10/00;B82Y40/00;H01L51/00;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/20;H01L29/22 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 周铁;彭昶 |
| 地址: | 瑞典*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米线 官能化 衬底 官能化化合物 纳米线器件 半极性溶剂 表面取向 附着 垂直 制造 | ||
1.一种组合物,其包含:
极性或半极性溶剂;和
悬浮在所述溶剂中并且浮在所述溶剂表面上的杆状半导体纳米线,悬浮在所述溶剂中的所述杆状半导体纳米线各自包含第一部分和第二部分,其中各杆状半导体纳米线的第一部分包含第一官能化化合物且各杆状半导体纳米线的第二部分包含第二官能化化合物,其中第二官能化化合物不同于第一官能化化合物;
其中所述杆状半导体纳米线的第一部分包含金属纳米线生长催化剂粒子,以及其中所述杆状半导体纳米线的第二部分包含GaAs、InP、InAs、GaAsxP1-x、InxGa1-xP、InGaAsP、GaN、InN、GaxIn1-xN、GaP、InSb、GaSb、InxAl1-xSb、GaxAl1-xSb、AlN、BN、Si或SiC中的一种或多种;和
其中所述杆状半导体纳米线的第二部分沉浸在所述极性或半极性溶剂中并且所述第一部分位于所述极性或半极性溶剂之外。
2.权利要求1的组合物,其中所述溶剂是极性的。
3.权利要求1的组合物,其中第一和第二官能化化合物之一包含带电化合物,且第一和第二官能化化合物的另一者包含不带电化合物。
4.权利要求3的组合物,其中:
所述带电化合物包含选自硫醇、羧酸、膦酸、二硫化物、硅烷、磺酸根和膦的锚部分和选自磺酸根、膦酸根、羧酸根、胺和聚醚的官能团;且
所述不带电化合物包含选自硫醇、羧酸、膦酸、二硫化物、硅烷、磺酸根和膦的锚部分和选自烷、烯、炔和氟化合物的官能团。
5.权利要求4的组合物,其中:
所述带电化合物选自巯基丙烷磺酸钠、巯基乙烷磺酸钠、巯基烷丁二酸盐(2-巯基丁二酸盐)、12-巯基十二烷酸、(11-巯基十一烷基)-N,N,N-三甲基溴化铵、(12-膦酰基十二烷基)膦酸、硫辛酸、双(四氟硼酸)(2-铵乙基)二叔丁基鏻和(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷和12-巯基十二烷酸NHS酯;且
所述不带电化合物选自戊烷硫醇、全氟癸烷硫醇、十二烷基三氯硅烷、硬脂酸、癸基膦酸、5-(1,2-二硫戊环-3-基)-N-十二烷基戊酰胺、十二烷基硫酸钠、三苯膦和十八烷基硫醇。
6.权利要求1的组合物,其中第一和第二官能化化合物包含带相反电荷的化合物。
7.权利要求1的组合物,其中第一和第二官能化化合物之一包含氟化化合物,且第一和第二官能化化合物的另一者包含非氟化化合物。
8.权利要求1的组合物,其中所述极性或半极性溶剂使所述纳米线排列。
9.权利要求1的组合物,其中所述纳米线是排列的。
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