[发明专利]覆晶接合器以及覆晶接合方法有效
| 申请号: | 201380027231.5 | 申请日: | 2013-09-20 |
| 公开(公告)号: | CN104335336B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
| 发明(设计)人: | 瀬山耕平 | 申请(专利权)人: | 株式会社新川 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 陶敏,臧建明 |
| 地址: | 日本东京武藏村*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 接合 以及 方法 | ||
1.一种覆晶接合器,其包括:
反转机构,使半导体芯片反转;
接合工具,自上述反转机构接收已由上述反转机构反转的上述半导体芯片并将上述半导体芯片接合于基板;以及
冷却机构,对上述反转机构进行冷却。
2.根据权利要求1所述的覆晶接合器,其中上述反转机构包括保持经反转的上述半导体芯片的保持构件,
上述冷却机构在上述接合工具接收上述半导体芯片之前预先将上述保持构件的温度冷却至规定的温度。
3.根据权利要求2所述的覆晶接合器,其中上述保持构件的热容大于上述接合工具的热容。
4.根据权利要求2所述的覆晶接合器,其中上述保持构件为将上述半导体芯片在吸附并反转的状态下交付至上述接合工具的吸附反转夹套。
5.根据权利要求3所述的覆晶接合器,其中上述保持构件为将上述半导体芯片在吸附并反转的状态下交付至上述接合工具的吸附反转夹套。
6.根据权利要求2所述的覆晶接合器,其中上述保持构件为使上述半导体芯片在反转的状态下移动,且将上述半导体芯片在反转的状态下交付至上述接合工具的移送平台。
7.根据权利要求3所述的覆晶接合器,其中上述保持构件为使上述半导体芯片在反转的状态下移动,且将上述半导体芯片在反转的状态下交付至上述接合工具的移送平台。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的覆晶接合器,其中上述冷却机构对上述保持构件的内表面或外表面进行冷却。
9.根据权利要求2至7中任一项所述的覆晶接合器,其中上述冷却机构包括:
基体部;以及
冷却构件,包含接地板及散热构件,上述接地板具有上述保持构件的表面接地的接地面,上述散热构件安装在上述接地板;且
上述冷却构件藉由仿照上述保持构件的表面的方向的方式而可以改变上述接地面的方向的支撑机构而支撑在上述基体部。
10.根据权利要求9所述的覆晶接合器,其中上述冷却构件的热容大于上述保持构件的热容。
11.根据权利要求9所述的覆晶接合器,其中上述散热构件安装在上述接地板的接地面的相反侧的面。
12.根据权利要求9所述的覆晶接合器,其中上述散热构件为散热片,且
包括对上述散热片进行冷却的冷却风扇。
13.根据权利要求9所述的覆晶接合器,其中上述支撑机构以绕沿上述接地面的第一轴、及沿上述接地面且与上述第一轴正交的第二轴这2个轴旋转自如的方式将上述接地板支撑于上述基体部。
14.根据权利要求9所述的覆晶接合器,其包括冷却喷嘴,设置在上述基体部,且对表面接地于上述接地面的上述保持构件喷出冷却空气。
15.根据权利要求9所述的覆晶接合器,其中上述接地板的上述接地面在上述保持构件的上述表面接地时,自上述保持构件向上述接地板产生热传导。
16.一种覆晶接合方法,其包括:
准备覆晶接合器的步骤,上述覆晶接合器包括:反转机构,使半导体芯片反转;接合工具,自上述反转机构接收已由上述反转机构反转的上述半导体芯片并将上述半导体芯片接合于基板;以及冷却机构,对上述反转机构进行冷却;以及
冷却步骤,在上述接合工具接收上述半导体芯片之前预先藉由上述冷却机构将上述保持构件的温度冷却至规定的温度。
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