[发明专利]聚合物共混物及相关的光电子器件

权利要求书

1.光电器件，其包含第一电极、第二电极和置于所述第一和第二电极之间的光活性层，所述光活性层包含聚合物-聚合物共混物半导体材料，所述聚合物-聚合物共混物半导体材料包含电子供体聚合物和电子受体聚合物，其中所述电子受体聚合物为其主链中包含芳族稠环二酰亚胺单元的共聚物，且其中所述电子供体聚合物为在其主链中包含一个或多个噻吩基或噻吩基单元和至少一个缺电子单元的共聚物。

2.如权利要求1所述的器件，其中所述电子受体聚合物由式1或2表示：

其中：

π-1和π-1'相同或不同，且独立地为任选地被取代的稠环部分；

R¹和R^1'相同或不同，且独立地选自由以下组成的组：C_1-30烷基基团、C_2-30烯基基团、C_1-30卤代烷基基团、C_6-20芳基基团和5-14元杂芳基基团，其中所述C_6-20芳基基团和所述5-14元杂芳基基团任选地被C_1-30烷基基团、C_2-30烯基基团或C_1-30卤代烷基基团取代；

M^a和M^a'相同或不同，且独立地为包含一个或多个共轭部分的重复单元，其不包括萘嵌苯二酰亚胺；

p和q独立地为实数，其中0.1≤p≤0.9，0.1≤q≤0.9，且p和q的和为约1；且

n为2至5000范围内的整数；

条件是以下中至少一个为真：(a)π-1'与π-1不同，(b)R^1'与R¹不同，或(c)M^a'与M^a不同。

3.如权利要求2所述的器件，其中π-1和π-1'独立地选自由以下组成的组：

4.如权利要求2所述的器件，其中所述电子受体聚合物由式3或4表示：

其中：

R'和R″相同或不同，且独立地选自由以下组成的组：H、F、Cl、–CN和–L–R，其中L在每次出现时独立地选自由以下组成的组：-O-、-S-、–C(O)、–C(O)O–和共价键；且R在每次出现时独立地选自由以下组成的组：C_6-20烷基基团、C_6-20烯基基团和C_6-20卤代烷基基团；

m和m'独立地为1、2、3、4、5或6；且

π-1、π-1'、R¹、R^1'、p、和q如权利要求5中所定义。

5.如权利要求2所述的器件，其中所述电子受体聚合物由式5、6、7或8表示：

其中R¹、R^1'、p、q、和n如权利要求5中所定义。

6.如权利要求2所述的器件，其中R¹和R^1'选自由以下组成的组：支链的C_3-20烷基基团、支链的C_4-20烯基基团和支链的C_3-20卤代烷基基团。

7.如权利要求6所述的器件，其中R¹和R^1'选自由以下组成的组：

8.如权利要求1所述的器件，其中所述电子供体聚合物具有由式9所表示的交替的推拉结构：

其中所述供体亚单元(D)包含至少一个任选地被一个或多个供电子基团和/或至少一个任选地被取代的富电子8-20元杂芳基基团取代的噻吩基或噻吩并噻吩基基团；且所述受体亚单元(A)包含至少一个被一个或多个吸电子基团和/或至少一个任选地被取代的缺电子8-20元杂芳基基团取代的噻吩基或噻吩并噻吩基基团。