[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201380017760.7 | 申请日： | 2013-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN104205344A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 田中梨菜;古川彰彦;今泉昌之;阿部雄次 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/47;H01L29/868;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金光华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，具备：
第1导电类型的宽能带隙半导体基板；
第1导电类型的漂移层，形成于所述宽能带隙半导体基板的第1主面，并由宽能带隙半导体构成；
多个第2导电类型的第1阱区域，在所述漂移层的表层部中，以规定的间隔相互邻接地形成；
第2阱区域，在所述第1阱区域的所述半导体基板侧与所述第1阱区域邻接，以比所述第1阱区域低的第2导电类型杂质浓度、且比所述第1阱区域小的宽度来形成；
肖特基电极，形成于所述漂移层以及所述第1杂质区域的表面上，与所述漂移层进行肖特基连接；以及
欧姆电极，与所述半导体基板的所述第1主面的相反侧的第2主面相接地形成。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
在半导体器件处于截止状态时，在所述第1阱区域中残留未耗尽化的区域。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
在所述半导体器件处于截止状态时，所述第2阱区域全部耗尽化。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于，
在半导体器件处于截止状态时，从相邻的第1阱区域延伸的耗尽层使所述第1阱区域间的与所述肖特基电极相接的所述漂移层的表层部全部耗尽化。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于，
所述第2阱区域的宽度是所述第1阱区域的3/4以下的值。
6.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于，
在所述第2阱区域与所述半导体基板之间设置有所述漂移层。
7.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于，
在所述第2阱区域中，相比于与所述第1阱区域邻接的区域，在与所述半导体基板最接近的部位中第2导电类型杂质浓度更低。
8.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于，
在所述第2阱区域中，相比于与所述第1阱区域邻接的区域，在与所述半导体基板最接近的部位中宽度更窄。
9.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于，
在所述漂移层的表层部的与所述肖特基电极相接的位置，设置有第1导电类型杂质的浓度比所述漂移层高的高浓度漂移区域。
10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的半导体器件，其特征在于，
所述宽能带隙半导体基板是碳化硅半导体基板，所述宽能带隙半导体是碳化硅半导体。
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