[发明专利]设置晶体半导体材料薄层的方法以及有关的结构和器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：

在受主结构上设置晶体硅层；

在邻近所述晶体硅层的暴露主表面的晶体硅的一部分中形成金属硅化物；以及

使用相对于所述晶体硅对所述金属硅化物有选择性的蚀刻剂来蚀刻所述金属硅化物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述受主结构上设置所述晶体硅层的步骤包括以下步骤：将所述晶体硅层从施主结构转移至所述受主结构。

3.根据权利要求2所述的方法，该方法还包括以下步骤：选择所述晶体硅层，以包括有源器件结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在邻近所述晶体硅层的所述暴露主表面的所述晶体硅的所述部分中形成所述金属硅化物的步骤包括以下步骤：

将金属沉积在所述晶体硅层的所述暴露主表面上；以及

使所沉积的金属和所述晶体硅层退火，以形成所述金属硅化物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在邻近所述晶体硅层的所述暴露主表面的所述晶体硅的所述部分中形成所述金属硅化物的步骤包括以下步骤：将金属离子注入到所述晶体硅中，以形成所述金属硅化物。

6.根据权利要求5所述的方法，该方法还包括以下步骤：选择所述金属离子，以包括钛、镍、钴和钨中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述晶体硅的所述部分中形成所述金属硅化物的步骤包括以下步骤：在大约700℃或更低的温度下在所述晶体硅的所述部分中形成所述金属硅化物。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述金属硅化物的步骤包括以下步骤：使用湿法蚀刻工艺、干法蚀刻工艺和电化学蚀刻工艺中的一个或更多个来蚀刻所述金属硅化物。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述金属硅化物的步骤包括以下步骤：至少基本上去除所述金属硅化物并且暴露所述晶体硅的表面。

10.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：使用湿法清洗工艺、化学机械抛光工艺、等离子体清洗工艺和离子修整工艺中的一个或更多个来使所述晶体硅的表面平滑。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述金属硅化物的步骤包括以下步骤：在大约一百摄氏度100℃或更低的温度下蚀刻所述金属硅化物。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，使用相对于所述晶体硅对所述金属硅化物有选择性的蚀刻剂来蚀刻所述金属硅化物的步骤包括以下步骤：用HF蚀刻所述金属硅化物。

13.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成包括所述晶体硅、所述受主结构以及所述晶体硅与所述受主结构之间的介电层的SOI型基板。

14.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：形成包括所述晶体硅的电子信号处理器、存储器装置、发光二极管、激光二极管和光电池中的一个或更多个。

15.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：在蚀刻所述金属硅化物之后，将所述晶体硅层形成为具有大约100nm或更小的平均层厚度。

16.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：在蚀刻所述金属硅化物之后，为所述晶体硅层的所述暴露主表面设置大约2.0nm或更小的平均表面粗糙度R_a。