[发明专利]带有透明电极的基板及其制造方法

权利要求书

1.一种带有透明电极的基板，在透明膜基材的至少一面具有结晶质透明电极层，

所述透明膜基材在所述结晶质透明电极层侧的表面具有以氧化物为主成分的透明电介质层，

所述结晶质透明电极层的电阻率为3.5×10^-4Ω·cm以下，膜厚为15nm～40nm，氧化铟的含量为87.5％～95.5％，载流子密度为4×10²⁰/cm³～9×10²⁰/cm³且结晶度为80％以上，

并且，利用热机械分析测定的热收缩起始温度为75℃～120℃。

2.一种带有透明电极的基板，在透明膜基材的至少一面具有非晶质透明电极层，

所述透明膜基材在所述非晶质透明电极层侧的表面具有以氧化物为主成分的透明电介质层，

所述非晶质透明电极层的膜厚为15nm～40nm，氧化铟的含量为87.5％～95.5％且结晶度低于80％，

并且，所述非晶质透明电极层结晶化时的活化能为1.3eV以下。

3.根据权利要求2所述的带有透明电极的基板，其中，热收缩起始温度为75℃～120℃。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的带有透明电极的基板，其中，所述透明电极层进一步含有氧化锡或氧化锌。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的带有透明电极的基板，其中，所述透明电介质层以氧化硅为主成分。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的带有透明电极的基板，其中，带有透明电极的基板的长条片材被卷绕成筒状。

7.一种带有透明电极的基板的制造方法，是制造权利要求2或3所述的带有透明电极的基板的方法，该方法具有如下工序：

基材准备工序，准备在透明膜的至少一面具有以氧化物为主成分的透明电介质层的透明膜基材，和

制膜工序，在所述透明膜基材的透明电介质层上利用溅射法形成膜厚为15nm～40nm、氧化铟的含量为87.5％～95.5％的非晶质透明电极层；

并且，在所述制膜工序中，边导入含有惰性气体和氧气的载体气体，边在制膜室内的氧分压1×10^-3Pa～5×10^-3Pa下进行制膜。

8.一种带有透明电极的基板的制造方法，是制造权利要求1所述的带有透明电极的基板的方法，该方法具有如下工序：

利用权利要求7所述的方法，得到在透明膜基材的至少一面具有非晶质透明电极层的带有透明电极的基板的工序，和

使所述非晶质透明电极层结晶化，得到结晶质透明电极层的结晶化工序；

并且，在所述结晶化工序中，所述透明膜基材和所述透明电极层不被加热至120℃以上。

9.一种带有透明电极的基板的制造方法，是制造在透明膜基材的至少一面具有结晶质的透明电极层的带有透明电极的基板的方法，所述透明电极层的电阻率为3.5×10^-4Ω·cm以下，结晶度为80％以上，

所述制造方法具有如下工序：

基材准备工序，准备透明膜基材，

制膜工序，在所述透明膜基材的透明电介质层上利用溅射法形成膜厚为15nm～40nm、氧化铟的含量为87.5％～95.5％的非晶质透明电极层，和

结晶化工序，使所述非晶质透明电极层结晶化，得到结晶质透明电极层；

并且，在所述制膜工序中，边导入含有惰性气体和氧气的载体气体，边在制膜室内的氧分压1×10^-3Pa～5×10^-3Pa下进行制膜，

在所述结晶化工序中，所述透明膜基材和所述透明电极层不被加热至120℃以上。