[发明专利]偏光薄膜、图像显示装置、以及偏光薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种偏光薄膜，其包含用下述通式（1）表示的双偶氮化合物，

式（1）中，Q¹表示具有至少1个-SO₃M基的苯基，Q²表示具有至少1个-SO₃M基的亚萘基，X表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、碳数1～4的硫代烷基、卤代基、或极性基，下标k表示所述X的取代数即0～5的整数，M表示抗衡离子，所述k为2以上的整数时，所述X分别相同或不同。

2.根据权利要求1所述的偏光薄膜，其中，所述Q²为用下述通式（Q2-1）表示的亚萘基，

式（Q2-1）中，Z表示除-SO₃M基以外的取代基，下标o表示Z的取代数即0～5的整数，下标n表示-SO₃M基的取代数即1～6的整数，1≤n+o≤6，所述o为2以上时，所述Z分别相同或不同。

3.根据权利要求1所述的偏光薄膜，其中，所述Q²为下述任一式所表示的亚萘基，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的偏光薄膜，其中，所述Q¹为用下述通式（Q1-1）表示的苯基，

式（Q1-1）中，Y表示除-SO₃M基以外的取代基，下标m表示Y的取代数即0～4的整数，下标l表示-SO₃M基的取代数即1～5的整数，1≤l+m≤5，所述m为2以上时，所述Y分别相同或不同。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的偏光薄膜，其中，所述Q¹为下述任一式所表示的苯基，

6.一种图像显示装置，其具备权利要求1～5中任一项所述的偏光薄膜。

7.一种偏光薄膜的制造方法，其具备将包含用下述通式（1）表示的双偶氮化合物和溶剂的涂布液涂覆在基材上的工序，

式（1）中，Q¹表示具有至少1个-SO₃M基的苯基，Q²表示具有至少1个-SO₃M基的亚萘基，X表示碳数1～4的烷基、碳数1～4的烷氧基、碳数1～4的硫代烷基、卤代基、或极性基，下标k表示所述X的取代数即0～5的整数，M表示抗衡离子，所述k为2以上的整数时，所述X分别相同或不同。