[发明专利]半导体晶片的正向电压偏差减少方法

权利要求书

1.一种正向电压的偏差减少方法，其为减少如下的半导体晶片的正向电压的偏差的方法，所述半导体晶片为含有与点缺陷相结合的杂质的N型的半导体晶片，并且在俯视观察半导体晶片时该杂质的密度存在偏差，

所述正向电压的偏差减少方法的特征在于，

以向在俯视观察半导体晶片时以第一密度含有杂质的第一区域照射的带电粒子的照射密度，低于向以低于第一密度的第二密度含有杂质的第二区域照射的带电粒子的照射密度的方式，照射带电粒子，从而使点缺陷与杂质相结合而形成的复合缺陷的偏差与照射前相比减小。

2.如权利要求1所述的偏差减少方法，其特征在于，

在俯视观察半导体晶片时，所述第一区域为半导体晶片的中央区域，所述第二区域为包围中央区域的边缘区域。

3.一种半导体晶片的正向电压的偏差减少方法，其为减少如下的半导体晶片的正向电压的偏差的方法，所述半导体晶片层叠有P型半导体层和N型半导体层，并且在俯视观察半导体晶片时N型半导体层中所含有的杂质的密度存在偏差，

所述半导体晶片的正向电压的偏差减少方法的特征在于，

所述杂质为，与点缺陷相结合而形成复合缺陷的杂质，

以向在俯视观察半导体晶片时以第一密度含有杂质的第一区域照射的带电粒子的到达位置，与向以低于第一密度的第二密度含有杂质的第二区域照射的带电粒子的到达位置相比，较靠近于P型半导体层的方式，照射带电粒子，从而使点缺陷与杂质相结合而形成的复合缺陷的偏差与照射前相比减小。

4.如权利要求3所述的正向电压的偏差减少方法，其特征在于，

在俯视观察半导体晶片时，所述第一区域为半导体晶片的中央区域，所述第二区域为包围中央区域的边缘区域。

5.如权利要求4所述的正向电压的偏差减少方法，其中，

经由吸收体而从N型半导体层侧照射带电粒子，在所述吸收体中，与中央区域相对置的区域的厚度薄于与边缘区域相对置的区域的厚度。

6.如权利要求4所述的正向电压的偏差减少方法，其中，

经由吸收体而从P型半导体层侧照射带电粒子，在所述吸收体中，与中央区域相对置的区域的厚度厚于与边缘区域相对置的区域的厚度。

7.一种半导体装置，其使用如下的半导体晶片而被制造出，所述半导体晶片通过权利要求1至6中的任一项所述的方法而减少了正向电压的偏差。