[实用新型]一种改善晶圆腐蚀均匀性装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件及加工制造领域，更具体地说，涉及一种改善晶圆腐蚀均匀性装置。 

背景技术

众所周知，湿法腐蚀和湿法清洗在很早以前就在半导体生产上被广泛接受，湿法腐蚀工艺由于其低成本、高产出、高可靠性以及其优良的选择比等优点而被广泛使用。然而，湿法腐蚀工艺在应用的过程当中也不可避免地出现了许多问题，如晶圆表面的腐蚀均匀性差的问题。晶圆表面腐蚀不均匀会直接影响后续工艺的质量，从而导致集成电路芯片的性能变差，产品合格率下降。 

现有工艺中，利用喷淋臂结构喷射化学药液至旋转的晶圆表面，会与晶圆表面物质发生化学反应从而腐蚀掉晶圆表面不需要的氧化膜或者镀层膜层，晶圆边缘线性速度远大于中心位置线速度，当化学药液从喷淋臂沿晶圆径向方向均匀垂直喷射到晶圆表面时，边缘液膜厚度明显小于中心位置，腐蚀速率较慢。在腐蚀过程中总是存在晶圆中间位置腐蚀速度快而边缘位置腐蚀速度慢的问题，如图1所示，晶圆表面很容易出现中间薄，边缘厚的凹陷结构，而腐蚀均匀性差会严重影响晶圆质量。因此，解决晶圆腐蚀均匀性差的问题成为本领域技术人员亟待解决的问题。 

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种改善晶圆腐蚀均匀性装置，从而解决晶圆腐蚀不均匀的问题。 

本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种改善晶圆腐蚀均匀性装置，包括晶圆载具、所述晶圆载具上端承载晶圆，所述晶圆载具包括旋转机构及固定机构；所述晶圆载具下端设有至少一个扇形部件，所述晶圆载具可旋转并带动晶圆或扇形部件，所述扇形部件与晶圆半径一致且与晶圆位于同心轴上，所述扇形部件表面上设有可向晶圆背面垂直喷射液体的喷射孔，所述喷射孔按照扇形部件从圆心到圆弧的方向分为不同的扇区，所述每个扇区的喷射孔独立连接供喷射液体通过的管道，所述管道上设有可控制喷射液体通过的时间或/和流量的阀。 

优选的，所述每个扇区的喷射孔连接两路管道，两路管道上分别设有可控制喷射液体通过的阀。 

优选的，所述晶圆安装在旋转机构上，所述扇形部件安装在固定机构上。 

优选的，所述扇形部件安装在旋转机构上，所述晶圆安装在固定机构上。 

优选的，所述喷射孔在扇形部件表面均匀分布。 

优选的，所述扇形部件水平轴中心的反方向设有条状体，所述条状体与扇形部件的圆心处连接，所述条状体上设有若干用于干燥气体通过的干燥孔。 

优选的，所述条状体的长度与晶圆半径一致。 

本实用新型提供的一种改善晶圆腐蚀均匀性装置及方法，通过阀控制喷射液体通过的时间或/和流量，从而改善晶圆中间薄、边缘厚的现象，进一步的，通过阀控制管道通过的冷喷射液的流量，与热喷射液混合，从而使得每个扇区喷射孔喷射液体的温度不同，使得喷射液的温度按照扇形部件从圆心到圆弧的方向逐渐增高，最终达到晶圆腐蚀均匀的效果。 

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为现有晶圆的结构示意图； 

图2为本实用新型第一实施例改善晶圆腐蚀均匀性装置的结构示意图； 

图3为本实用新型第三实施例改善晶圆腐蚀均匀性装置的结构示意图； 

图4为本实用新型第一实施例改善晶圆腐蚀均匀性装置的原理图； 

图5为本实用新型第二实施例改善晶圆腐蚀均匀性装置的原理图。 

图中标号说明如下： 

1、晶圆，2、扇形部件，3、喷射孔，4、管道，41、第一管道，42、第二管道，5、阀，6、条状体，7、干燥孔。 

具体实施方式

下面结合图1至图5对本实用新型中的一种改善晶圆腐蚀均匀性装置及方法作进一步的说明： 

如图1所示，现有的晶圆1表面很容易出现中间薄，边缘厚的凹陷结构，而腐蚀均匀性差会严重影响晶圆质量。 

实施例一：