[实用新型]一种薄膜太阳能电池有效
| 申请号: | 201320891334.3 | 申请日: | 2013-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN203932080U | 公开(公告)日: | 2014-11-05 |
| 发明(设计)人: | 高敏强;殷玉根 | 申请(专利权)人: | 连云港市云海电源有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/055;H01L31/054 |
| 代理公司: | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人: | 安纪平 |
| 地址: | 222111 江苏省连*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种薄膜太阳能电池。
背景技术
目前,太阳能作为一种新能源很受人们欢迎,于是各种太阳能产品不断出现,转换效率越来越高,其中就包括薄膜太阳能电池。
目前市场上的薄膜太阳能电池多种多样,但或多或少都有一些缺陷,有的只能利用太阳光某一波段的光能,波长较长或波长较短的光都不能得到有效利用;有的导电性能相对较差;有的不能将光线完全吸收,经常会将光线发散出去。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种薄膜太阳能电池,能够有效利用各种波长的光,具有很好的导电性,能够聚集光线。
本实用新型为解决其技术问题所采用的技术方案是:一种薄膜太阳能电池,包括基板,所述基板上设有前电极层,所述前电极层上设有发电层,所述发电层上设有透明背电极层,其特征在于:所述发电层与透明背电极层之间设有银薄膜层,所述透明背电极层上设有上转换层,所述上转换层上设有玻璃层,所述玻璃层成凸透镜状。
作为本实用新型的进一步改进,所述玻璃层厚度为30nm。
作为本实用新型的进一步改进,所述银薄膜层的厚度为12nm,其光学透过率大于80%,方块电阻小于每方块6Ω。
作为本实用新型的进一步改进,所述上转换层为掺杂了Yb3+离子和Tm3+离子的敏化剂。
作为本实用新型的进一步改进,所述基板为超薄不锈钢。
作为本实用新型的进一步改进,所述透明背电极层为铝薄膜层。
本实用新型的有益效果是:本实用新型通过增加更高透过率、更优导电性能的银薄膜层,使得薄膜太阳能电池的导电性能大大提高,通过增加上转换层将长波长光转化为短波长光,增加了太阳能电池吸收的光线,提高了转化效率,通过成凸透镜状的玻璃层使照射在薄膜太阳能电池的光聚集,从而减少光的发散,提高了吸收率。
附图说明
图1为本实用新型的薄膜太阳能电池与孔卡托的示意图;
其中:1-基板;2-前电极层;3-发电层;4-银薄膜层;5-透明背电极层;6-上转换层;7-玻璃层。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本实用新型方案,并使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合实施例及实施例附图对本实用新型作进一步详细的说明。
如图1所示:一种薄膜太阳能电池,包括基板1,所述基板1上设有前电极层2,所述前电极层2上设有发电层3,所述发电层3上设有透明背电极层5,所述发电层3与透明背电极层5之间设有银薄膜层4,所述透明背电极层5上设有上转换层6,所述上转换层6上设有玻璃层7,所述玻璃层7成凸透镜状。通过银薄膜层4的高透过率和优导电性能来提高整个薄膜太阳能电池的导电性能,通过上转换层6将不能吸收的长波长光转换为短波长光,使长波长光也能被吸收,通过成凸透镜状的玻璃层7使照射在薄膜太阳能电池的光聚集,从而减少光的发散,提高了吸收率,还能保证较好的光线透过率,使得太阳能电池吸收的光线增多。
所述玻璃层7厚度为30nm。
所述银薄膜层4的厚度为12nm,其光学透过率大于80%,方块电阻小于每方块6Ω,所述银薄膜层4光学透过率为90%,方块电阻为每方块4Ω。
所述上转换层6为掺杂了Yb3+离子和Tm3+离子的敏化剂。这两种离子掺杂在敏化剂中,可以使Tm3+离子的上转换发光强度提高3个数量级以上。
所述基板1为超薄不锈钢。也可以为陶瓷、玻璃等。
所述透明背电极层5为铝薄膜层。也可以为镍薄膜层。
上述实施例为本实用新型较佳的实施方式,但本实用新型的实施方式并不受实施例的限制,其它的任何未背离本实用新型的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化均应为等效的置换方式,都包含在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





