[实用新型]精密多晶硅电阻器结构及集成电路

权利要求书

1.一种精密多晶硅电阻器结构，其特征在于，包括：

具有上表面的硅衬底；

在所述硅衬底中形成的隔离场，所述隔离场由与金属栅极晶体管接触并且相邻的氧化物填充，所述氧化物相对于所述硅衬底的所述上表面凹陷；

精密多晶硅电阻器，覆盖在填充的隔离场上面并且与填充的隔离场接触；

绝缘材料，覆盖所述多晶硅电阻器并且与所述多晶硅电阻器接触；

层间电介质；以及

一个或者多个金属塞，其穿透所述层间电介质以在金属-多晶硅结处与所述多晶硅电阻器形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的电阻器结构，其特征在于，所述金属塞包括钨。

3.根据权利要求1所述的电阻器结构，其特征在于，在所述金属栅极晶体管内的有源硅区域的至少一部分是外延生长的部分。

4.根据权利要求3所述的电阻器结构，其特征在于，所述外延生长的部分用锗或者碳中的一项或者多项掺杂。

5.根据权利要求1所述的电阻器结构，其特征在于，还包括在所述金属-多晶硅结处形成的金属硅化物。

6.根据权利要求4所述的电阻器结构，其特征在于，所述金属硅化物包括钨、镍、铂、钛、钴中的一项或者多项，或者其合金。

7.根据权利要求1所述的电阻器结构，其特征在于，还包括向所述多晶硅电阻器中注入的一种或者多种掺杂物，所述掺杂物引起所述多晶硅电阻器的电阻改变。

8.一种集成电路，其特征在于，包括：

硅衬底；

在所述硅衬底中形成的替换金属栅极晶体管，所述晶体管包括：

一个或者多个隔离沟槽；

源极区域和漏极区域；以及

替换金属栅极；以及

至少一个多晶硅电阻器，与所述替换金属栅极晶体管相邻，所述多晶硅电阻器形成于凹陷的隔离场之上。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，使用牺牲多晶硅栅极作为掩膜来形成所述源极区域和所述漏极区域。

10.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，外延生长所述源极区域和所述漏极区域。

11.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，还包括选择性地耦合到所述多晶硅电阻器的除了所述替换金属栅极晶体管之外的电子部件。

12.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，通过用掺杂物注入来调节所述多晶硅电阻器。

13.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，所述多晶硅电阻器包括具有厚度的多晶硅膜，并且在制作期间通过变化所述多晶硅膜厚度来调节所述多晶硅电阻器。

14.根据权利要求8所述的集成电路，其特征在于，还包括钨互连，在所述钨互连中通过金属硅化物形成去往所述多晶硅电阻器的欧姆接触。