[实用新型]GIXRD技术原位实时测量晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉

权利要求书

1.GIXRD技术原位实时测量熔体法晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉，它包括炉体，所述炉体顶部设有炉盖，所述炉体外设有进水口和出水口，其特征在于：所述炉体一侧开有入射孔，其另一侧开有出射孔；

所述炉体内有保温介质和电加热器，所述电加热器位于炉体内上方，与其相对的炉体下方还设有用于盛放晶体片的坩埚；

所述的电加热器是一块缠绕有电加热丝的长方形刚玉。

2.根据权利要求1所述GIXRD技术原位实时测量熔体法晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉，其特征在于：所述电加热丝两端与外界的温控系统相接。

3.根据权利要求1所述GIXRD技术原位实时测量熔体法晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉，其特征在于：所述的炉体为双层炉体，且双层炉体间形成夹层，该夹层与炉体上的进水口和出水口相通，所述炉体上的进水口与出水口与外界的循环水冷却系统相接。

4.根据权利要求1所述GIXRD技术原位实时测量熔体法晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉，其特征在于：所述的坩埚侧面还有热电偶，通过热电偶实时对样品附近处的温度进行的监测。

5.根据权利要求1所述GIXRD技术原位实时测量熔体法晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉，其特征在于：所述的出射孔口径大于入射孔。

6.根据权利要求1所述GIXRD技术原位实时测量熔体法晶体生长边界层微观结构的微型晶体生长炉，其特征在于：所述的保温介质为泡沫氧化铝材料或泡沫氧化锆材料，坩埚为不与样品发生低共熔反应的坩埚。